数字集成电路第1章.ppt

三部分内容 晶体管、MOS工艺及其寄生效应 晶体管组成的数字电路 MOS管组成的数字电路 参考书 半导体制造技术（国外电子与通信教材系列）电子工业出版社，韩郑生等译 集成电路设计与9天EDA工具应用，东南大学出版社，王志功主编 数字集成电路的分析与设计，电子工业出版社，王兆明主编 CMOS集成电路原理与设计，北京邮电大学出版社，李本俊主编 联系方式 手机地点：G608 Email:wuwei@shu.edu.cn wuwei@staff.shu.edu.cn 双极集成电路的基本制造工艺 选晶片, 光刻, 氧化, 离子注入, 淀积, 刻蚀、选择性、各项异性、湿刻蚀、干法刻蚀、离子反应刻蚀 扩散 双极集成电路的基本制造工艺 掺硼P型硅作为衬底材料并进行初始氧化,以形成二氧化硅表层,然后再进行隐埋层光刻以形成一个窗口后进行N+层掺杂,接着就用外延层所覆盖,故称隐埋层 制作隐埋层后,去除表面的二氧化硅,再进行N型外延层生长 掺P型材料进行隔离扩散. 用第三块掩模版完成基区光刻 双极集成电路的基本制造工艺 基区重掺杂 制作晶体管发射极和集电极 形成表面金属互连接的接触区 完成一层金属铝膜的沉积,然后再介质淀积 在介质层上蚀刻出连接通孔 成第二层金属铝膜的沉积 后续工序,划片,粘片,压焊,封装,测试分类,筛选,成品测试,入库 双极集成电路应用 T