数字集成电路第2章.ppt

第二章集成电路中的晶体管及其寄生效应 集成电路中的晶体管及其寄生效应 BE正偏 BC反偏 正向工作区 模拟 BE正偏 BC正偏 饱和工作区 数字 BE反偏 BC正偏 反向工作区 数字 BE反偏 BC反偏 截止工作区 模拟 集成电路中的晶体管及其寄生效应 由于衬底始终接最负的电位,以保证各隔离岛之间的绝缘,所以寄生的PNP管的集电结总是反偏 PNP管的发射结的偏置状态:可能正偏;可能反偏 当NPN管工作在饱和反向状态时，其BC正偏，亦即PNP管发射极正偏，PNP处于正向工作状态，有电流流向衬底，影响集成电路电路工作 晶体管EM模型 1954年J.JEBbers提出:基本思想是晶体管可认为是基于正向晶体管和基于反向晶体管（E、C互换）的叠加《晶体管原理》 αF 、αR分别是NPN管正反向运用时的共基极短路电路增益； αSF、αSR分别是PNP管正反向运用时的共基极短路电路增益 四层三结电流方程式 各结电流方程式 矩阵形式 三层二结结构电流方程式 集成双极晶体管的有源寄生效应 PN结正偏工作时，VF0 集成双极晶体管的有源寄生效应 PN结反偏工作时，VR0 集成双极晶体管的有源寄生效应 在电流叠加运算时，只计算 即可忽略反偏电流，当全部都反偏时，只考虑ISS项 VS