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模拟电子标准作业2016(修改)
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第1章 二极管及其基本电路
基本知识点:1、半导体的基本概念; 2、PN结的形成及导电特性;
3、二极管的分类及特性;4、二极管电路的分析方法
重点:二极管的重要特性和典型电路的分析方法
难点:二极管电路的分析
一、基础题
1、判断下列说法的正、误,在相应的括号内画√表示正确,画×表示错误。
(1)本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。( )
(2)掺杂半导体因含有杂质,所以在制造半导体器件时是没有用处的。( )
(3)稳压管是一种特殊的二极管,它通常工作在反向击穿状态( ),它不允许工作在正向导通状态( )。
2、二极管的最主要特性是 。
3、分析下示电路中硅二极管是导通还是截止的?输出电压VAO=?
(b)
4、描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是 、 、 、和 。
5、设某二极管在正向电流ID=10mA时,其正向压降UD=0.6V。在ID保持不变的条件下,当二极管的结温降低20℃,UD约为____。
A.0.55V B.0.6V C.0.65V D.0.75V
6、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体,例如 和 等。
7、半导体中中存在两种载流子: 和 。纯净的半导体称为 ,它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种: 型半导体——多数载流子是 ; 型半导体——多数载流子是 。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个 结,这是制造半导体器件的基础。
8、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的? ?,而少数载流子的浓度则与?? ??有很大关系。?
9、当PN结外加正向电压时,扩散电流?大于漂移电流,耗尽层?? ?。当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层?? ??。?
?10、?在常温下,硅二极管的门限电压约??? ??V,导通后在较大电流下的正向压降约 ??? ??V;锗二极管的门限电压约??? ???V,导通后在较大电流下的正向压降约?? ?V。
11、在常温下,发光二极管的正向导通电压约?? V?????,??高于??硅二极管的门限电压;考虑发光二极管的发光亮度和寿命,其工作电流一般控制在? ??mA。?
12、二极管最主要的特性是____________,它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。图中D1-D3为理想二极管,A,B,C灯都相同,试问哪个灯最亮?
、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V,求图中电路的输出电压Uo。已知稳压管的正向压降为0.7V。
、图所示电路,设Ui=sinωt(V),V=2V,二极管具有理想特性,则输出电压Uo的波形应为图示_______图。
A、=100 B、=50 C、=150 D、=25
6、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为( )
A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管
7、多级放大电路的级数越多,则其( )
A、放大倍数越大,而通频带越窄 B、放大倍数越大,而通频带越宽
C、放大倍数越小,而通频带越宽 D、放大倍数越小,而通频带越窄
8、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为( )
A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍
9、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时,要求( )
A、独立信号源短路,负载开路 B、独立信号源短路,负载短路
C、独立信号源开路,负载开路 D、独立信号源开路,负载短路
10、在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的是[ ], 输入电阻最小的是 [ ],输出电阻最小的是 [ ]
A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
11、在电路中,可以利用____实现高内阻信号源与低阻负
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