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模拟电路复习提纲 考试类型 一.选择题（20分，10题） 二.概念解答题（20分，4题） 三.计算分析题（60分，4题） 四.附加题（30分，2题） 第一章 半导体器件（理解） 1.1 半导体的特性； 1.2 半导体二极管； 1.3 双极结型三极管。 复习重点： PN结、普通二极管、稳压管、双极结型三极管的工作原理 1.若P型半导体中掺入足量的五族元素，能否将其改型为N型半导体？ 答：可以，在半导体器件的制作过程中，利用扩散工艺，不但可以复合原先掺杂的三价元素产生的空穴，而且因更多的五价元素的掺入可使自由电子成为多数载流子，从而形成N型半导体。 2.当PN结外加反向电压时，扩散电流大于还是小于漂移电流？此时的耗尽区宽度是如何变化的？ 答：加方向电压时，扩散电流小于漂移电流，此时，耗尽层宽度增加。 作业1 1. 什么是二极管的伏安特性？写出二极管的二极管方程，并讨论； 2. 稳压管是利用二极管的什么特性所制作形成的？列出稳压二极管的主要参数； 作业2 i u 0 反向饱和电流Is 开启电压 Uon 最大整流电流IF 最大反向工作电压UR 二极管的伏安特性 7 IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT ? 26 mV 　　当U 0，即二极管加反向电压，反偏时 ，有 I ? - IS。 2. 伏安特性表达式(二极管方程) 2. 稳压管是利用二极管的什么特性所制作形成的？列出稳压二极管的主要参数； 8 U IZ 曲线越陡，电压越稳定。 - UZ 稳压管工作于反向击穿区。 (a)稳压管符号 UZ 稳定电压 IZ 稳定电流 稳压管的参数主要有以下几项： 1. 稳定电压 UZ 3. 动态电阻 rZ 2. 稳定电流 IZ 稳压管工作在反向击穿区时的稳定工作电压。 使稳压管正常工作时的参考电流。I IZ 时 ，管子的稳压性能变差； I IZ ，只要不超过额定功耗即可。 　　rZ 愈小愈好。对于同一个稳压管，工作电流愈大， rZ 值愈小。 1. 要使三极管能进行放大，三极管的内部制作工艺和外加电源的条件是什么？ 2. 画出NPN三极管共射放大电路的输入特性曲线和输出输出特性曲线。 3. 简述三极管的主要参数及含义。 4. 习题1-10,1-13。 作业3 1. 要使三极管能进行放大，三极管的内部制作工艺和外加电源的条件是什么？ 三极管内部结构要求： 　　1. 发射区高掺杂。 　　2. 基区薄, 掺杂较少。 三极管放大的外部条件： 发射结正向偏置， 集电结反向偏置。 3. 集电结面积大。 12 + UCE - 1.3.3　三极管的特性曲线 　　特性曲线是选用三极管的主要依据，可从半导体器件手册查得。 UCE 图 1.3.6　三极管共射特性曲线测试电路 输入特性： 输出特性： + UCE - + UCE - UBE 2. 画出NPN三极管共射放大电路的输入特性曲线和输出输出特性曲线。 13 　　(2) UCE 0 时的输入特性曲线 　　当 UCE 0 时，这个电压有利于将发射区扩散到基区的电子收集到集电极。 * 特性右移(因集电结开始吸引电子) 　　* UCE ≥ 1 V，特性曲线重合。 14 二、输出特性 图 1.3.9　NPN 三极管的输出特性曲线 划分三个区：截止区、放大区和饱和区。 放 大 区 放 大 区 　　1. 截止区　IB ≤ 0 的区域。 两个结都处于反向偏置。 　　IB= 0 时，IC = ICEO。 硅管约等于 1 ?A，锗管约为几十 ~ 几百微安。 截止区 截止区 15 2. 放大区： 条件：发射结正偏 　　　集电结反偏 　　特点：各条输出特性曲线比较平坦，近似为水平线，且等间隔。 放 大 区 集电极电流和基极电流体现放大作用，即 放 大 区 放 大 区 对 NPN 管 UBE 0，UBC 0 16 3. 饱和区： 条件：两个结均正偏 　　对 NPN 型管，UBE 0 UBC 0 。 特点：IC 基本上不随 IB 而变化，在饱和区三极管失去放大作用。 I C ? ? IB。 当 UCE = UBE，即 UCB = 0 时，称临界饱和，UCE UBE时，三极管达到饱和状态，此时的管压降用UCES表示。 饱和管压降 UCES 0.4 V(硅管)，UCES 0. 2 V(锗管) 饱和区 饱和区 3. 简述三极管的主要参数及含义。 18 1. 共射电流放大系数 ? 忽略穿透电流 ICEO 时， 3. 共基电流放大系数 ? 忽略反向饱和电流 ICBO 时， ? 和 ? 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为： 一、电流放大系数（表征管子放大作用的参数） 19