第04章 硅的氧化.ppt

* * （111）方向界面态多，所以MOS器件中多用（100）硅片 * Qot 在这些年来受到重视。因为在小尺寸器件中，电场很高，这些高电场使电子具有更高能量，可以达到注入到栅氧化层中的能量。如果存在oxide trap，或者是由于电子注入，会发生 charge trapping,使得器件阈值电压随时间漂移。 * 60年代Qm是一个很严重的问题，在70年代经过清洗工艺的改进，这个问题在70年代大部分消失，但是即使在今天仍然是一个问题。 Tca:三氯氢硅 * * 解释一下卧式炉的装片方式（硅舟），以得到立式炉装片方式的优点。 卧式炉从半导体产业早期就开始使用，在90年代初期，开始被立式炉取代，这是由于立式炉更易于自动化，改善操作者的安全和占用空间小。 立式炉在技术上仍然在不断改进，相对较低的成本，使卧式炉对特征尺寸大于0.5um的工艺仍然很具有吸引力。 * 氧化检查：氧化层质量和厚度。 * 载物台，舟，炉管都是石英制成，因为石英熔点很高，耐高温，石英就是二氧化硅。除了石英，还可以用SiC，只是成本很高。 炉管和石英器皿注意清洗，因为几次高温过程之后，表面就附着了反应物，可能成为颗粒，散落到硅片上。 炉体是通过多段加温来实现恒温区的。 二氧化硅熔点：1670 单晶硅熔点：1417 碳化硅熔点：约2700 * 恒温温度在1000，也能控制在0.25度的误差 热电温度记录仪常以热电偶作为测温元件，它广泛用来测量 -200 ℃ ~1300 ℃范围内的温度，特殊情况下，可测至 2800 ℃的高温或 4K 的低温。它具有结构简单，价格便宜，准确度高，测温范围广等特点。由于热电偶将温度转化成电量进行检测，使温度的测量、控制、 以及对温度信号的放大变换都很方便，适用于远距离测量和自动控制。在接触式测温 法中，热电温度计的应用最普遍。 1.定义: 由两种导体组合而成,将温度转化为热电动势的传感器叫做热电偶。 2. 测温原理 : 热电偶的测温原理基于热 电效应。 将两种不同材料的导体 A 和 B 串接成一个闭合回路，当两个接点 1 和 2 的温 度不同时，如果 T ＞ T 0 （如上图 12-1热电效应）， 在回路中就会产生热电动势， 在回路中产生一定大小的电流， 此种现象称为 热电效应 。 热电动势记为 EAB ，导体 A 、 B 称 为热电极。接点 1 通常是焊接在一起的， 测量时将它置于测温场所感受被测温度，故称为 测量端（或工作端，热 端）。接点 2 要求温度恒定，称为参考端（或冷端） * * 快速升温：100度/分钟，典型值80度/分钟。快速降温：60度/分钟， 减少了热预算，也减少了硅片数，使得硅片间距增加，提高硅片的均匀性。 * 快速热处理升温：100~200度/秒。 * 多盏卤钨灯作为热源，安装在硅片的顶部和底部，数目从25盏到150盏。被置于多个区域，使得加热均匀。 * 测量厚度最简单的方法。 * 如果一束单色光照在样品上，一些光会被直接反射。如果膜层是透明的，那么有一些光会从膜下表面反射。在一定的波长范围内，两束光会同相位，因而相叠加；而另外一些波长，光会相消。结果就是反射光的强度随波长有最大值和最小值。 椭偏仪是一种非破坏性、非接触的光学薄膜厚度测试技术，主要用于测透明的薄膜厚度。由于测试点小，所以可以用于有图形硅片的测量。椭偏仪可以集成在工艺设备中，实现某些工艺的原位（实时）测量。是一种很重要的测量方法。 椭偏是一个更好的方法。在概念上，椭偏和光干涉法相同。在椭偏中，用偏振光，当光从衬底反射回来时，测量其偏振程度的改变。通常来说，偏振程度和薄膜及衬底都有关系。一般情况下，当衬底的光学性质已经了解，薄膜在所用的波长下是透明的，反射光的偏振程度的改变和薄膜厚度及反射指数有关。 * 三种清洗液（硫酸，一号，二号洗液），清洗设备（超声，清洗槽，甩干） * 待机时的净化氮气，目的：保压，使炉体内相对于外界轻微正压，使环境气体不倒灌。 工艺气体中的氮气，可以使处于工艺温度（1000度）的时候，硅片不被氧化。 Rto快速热氧化 Rtp快速热处理 Rta快速退火 单硅片过程；升温速度100度每秒 * Qf和Qit与晶向的关系： （100）晶向最低 Qit Qf： 温度越高，越小 界面越粗糙，越大 100比111小得多 低温合金退火（氢钝化） 高温氩气退火 掺氯氧化 位置：位于氧化层中任意地方。 来源: 1.氧化层中一些断裂的Si-O、Si-Si、Si-H、Si-OH 2.电离辐照（ionization irradiation） 3.VLSI工艺过程引入：如电子束蒸发、溅射、等离子体刻蚀、电 子束或X射线光刻、离子注入 结果：这些陷阱会捕获空穴或电子，影响器件的工作 改善方法: 1000 ?C干氧化可以改善Si