第一篇___第2章晶体材料的结构和物性概述2010.ppt

* 一 点缺陷 2 点缺陷的平衡浓度 （1）点缺陷是热力学平衡的缺陷－在一定温度下，晶体中总是存在着一定数量的点缺陷（空位），这时体系的能量最低－具有平衡点缺陷的晶体比理想晶体在热力学上更为稳定。（原因：晶体中形成点缺陷时，体系内能的增加将使自由能升高，但体系熵值也增加了，这一因素又使自由能降低。其结果是在G-n曲线上出现了最低值，对应的n值即为平衡空位数。） （2）点缺陷的平衡浓度 C=Aexp(-?Ev/kT) * 一 点缺陷 3 点缺陷的产生及其运动 （1）点缺陷的产生 平衡点缺陷：热振动中的能力起伏。 过饱和点缺陷：外来作用，如高温淬火、辐照、冷加工等。 （2）点缺陷的运动 （迁移、复合－浓度降低；聚集－浓度升高－塌陷） * 一 点缺陷 4 点缺陷与材料行为 （1）结构变化：晶格畸变（如空位引起晶格收缩，间隙原子引起晶格膨胀，置换原子可引起收缩或膨胀。） （2）性能变化：物理性能（如电阻率增大，密度减小。） 力学性能（屈服强度提高） * 二 线缺陷（位错）dislocation ? 位错：晶体中某处一列或若干列原子有规律的错排。 意义：（对材料的力学行为如塑性变形、强度、断裂等起着决定性的作用，对材料的扩散、相变过程有较大影响。） 位错的提出：1926年，弗兰克尔发现理论晶体模型刚性切变强度与与实测临界切应力的巨大差异（2～4个数量级）。 1934年，泰勒、波朗依、奥罗万几乎同时提出位错的概念。 1939年，柏格斯提出用柏氏矢量表征位错。 1947年，柯垂耳提出溶质原子与位错的交互作用。 1950年，弗兰克和瑞德同时提出位错增殖机制。 之后，用TEM直接观察到了晶体中的位错。 * 二 线缺陷（位错） ?1 位错的基本类型 （1）刃型位错 edge dislocation 模型：滑移面/半原子面/位错线 （位错线┻晶体滑移方向，位错线┻位错运动方向，晶体滑移方向//位错运动方向。） 分类：正刃型位错（┻）；负刃型位错（┳）。 * 二 线缺陷（位错） ?1 位错的基本类型 （1）刃型位错 产生：空位塌陷；局部滑移。 * 二 线缺陷（位错） ?1 位错的基本类型? （2）螺型位错 screw dislocation 模型：滑移面/位错线。（位错线//晶体滑移方向，位错线┻位错运动方向，晶体滑移方向┻位错运动方向。） 分类：左螺型位错；右螺型位错。 * 二 线缺陷（位错） ?1 位错的基本类型? （2）螺型位错 screw dislocation * 二 线缺陷（位错） ?1 位错的基本类型?? （3）混合位错 模型：滑移面/位错线。 * 二 线缺陷（位错） ?1 位错的基本类型?? （3）混合位错 * 二 线缺陷（位错） ?2 位错的性质 （1）形状：不一定是直线，位错及其畸变区是一条管道。 （2）是已滑移区和未滑移区的边界。 （3）不能中断于晶体内部。可在表面露头，或终止于晶界和相界，或与其它位错相交，或自行封闭成环。 2h 具有不同结构的两相的界面称为相界。在晶体生长及其以后的处理过程中，常伴有相变的发生，经常会出现不同相共存的现象，如在外延生长晶体时，衬底晶体与外延晶体就是不同的两种相，存在着相界，相界处的错配主要来源于两晶相晶胞常数及其夹角之间的微小差异。 开裂是晶体中常见的一种宏观缺陷，可分为原生开裂和次生开裂。原生开裂是在晶体生长过程中形成的，往往有一定的方位，其成因可以是溶质供应不足、溶质的局部浓集、籽晶缺陷的延伸等。次生开裂主要是由于杂质的凝聚或晶体在降温过程中局部应力集中造成的，这类开裂往往是不规则的。 包裹体与晶体有着相界关系，按其存在的形式分为气体、液体和固体包裹体。气、液包裹体多呈球体或椭球体，固体包裹体多为胶凝体或微晶体，固态微晶包裹体多呈柱状、针状或一些不规则形状。当包裹体体积小到一定程度时，称为散射颗粒。 生长层也称生长条纹，是由温度波动或生长速率波动引起的。其形状与固液界面的形状吻合，在横截面内呈年轮状。生长层严重地破坏了晶体的均匀性。 采用熔融法生长晶体时，由于组分变化而产生的过冷现象称为组分过冷。组分过冷使晶体生长的平坦界面的稳定性遭到破坏，从而转变为胞状界面。胞状界面是由网状的沟漕分割开来的胞，沟漕中的杂质浓度较大，胞顶部杂质浓度较低，这种由浓集杂质划分出来的亚组织称胞状组织。在含有胞状组织的晶体中，杂质偏聚十分严重，明显地降低了晶体的质量。 2. 2．4 多晶材料 无机非