第三章 异质结能带图.pptVIP

3.1 突变反型异质结能带图 3.1.1 pN异质结能带图 根据两种半导体材料的电子亲和能、禁带宽度和功函数的不同，基于Anderson模型的pN异质结能带图通常分为4种情况： qVD1 Eg1 ΔEc qVD2 Eg2 qVD1 Eg1 ΔEc qVD2 Eg2 （1）第一种情况 第一种情况能带图的伏安特性关系式为： 其中， qVD1 Eg1 ΔEc qVD2 Eg2 （2）第二种情况 其中， （3）第三种情况 qVD1 Eg1 ΔEc qVD2 Eg2 qVD1 Eg1 ΔEc qVD2 Eg2 若 则 （4）第四种情况 qVD1 Eg1 ΔEc qVD2 Eg2 与第三种情况qVD1ΔEC时,伏安特性关系式相同 qVD1 Eg1 ΔEc qVD2 Eg2 与第三种情况qVD1ΔEC时,伏安特性关系式相同 文献报道中的pN异质结能带图大多数都属于第三种情况，例如： pN-Ge/Si, pN-Ge/GaAs, pN-Ge/ZnSe, pN-Si/GaAs, pN-Si/ZnS, pN-GaAs/GaP, pN-PbS/Ge, pN-PbS/Cds 第二种情况主要有： pN-Si/CdSe, pN-Si/CdS, pN-GaAs/ZnSe, pN-ZnTe/ZnSe, pN-ZnTe/Cd 第三种情况主要有： pN-PbS/GaAs 第四种情况主要有： pN-GaSbAs/InGaAs 3.1.2 nP异质结能带图 基于Anderson 模型的nP能带图也分为4种情况： qVD1 Eg1 ΔEV qVD2 Eg2 qVD1 Eg1 ΔEV qVD2 Eg2 （1）第一种情况 第一种情况能带图的伏安特性关系式为： 第二种情况能带图的伏安特性关系式为： qVD1 Eg1 ΔEV qVD2 Eg2 （2）第二种情况 （3）第三种情况 qVD1 Eg1 ΔEV qVD2 Eg2 第三种情况能带图的伏安特性关系式为： 当正向偏压使能带图中的 负尖峰势垒（对空穴而言） 即q(VD1-V1)ΔEV时，相应 的伏安特性关系式为： qVD1 Eg1 ΔEV qVD2 Eg2 （3）第三种情况 此种情况伏安特性关系式为： 当反向偏压使能带图中的负尖峰势垒（对空穴而言）即q(VD1+︱V1︱) ΔEV时，相应的伏安特性关系式为： （4）第四种情况 qVD1 Eg1 ΔEV qVD2 Eg2 此种情况与第三种情况能带图qVD1ΔEc时的伏安特性关系式相同 qVD1 Eg1 ΔEV qVD2 Eg2 （4）第四种情况 此种情况与第三种情况能带图qVD1ΔEc时的伏安特性关系式相同 文献报道中的nP异质结能带图大多数都属于第三种情况，例如： nP-Ge/GaAs, nP-Si/GaP, nP-InSb/Si, nP-InAs/ZnTe, nP-GaAs/GaP 第二种情况主要有： nP-CdSe/ZnTe, nP-CdSe/Se 第一种情况和第四种情况很少在文献中出现 3. 2 突变同型异质结能带图 根据两种半导体材料的电子亲和能、禁带宽度和功函数的不同，基于Anderson模型的nN异质结能带图通常分为4种情况： （1）第一种情况 qVD1 Eg1 ΔEC Eg2 qVD1 qVD1 Eg1 ΔEC Eg2 qVD1 伏安特性关系式为： （2）第二种情况 qVD1 Eg1 ΔEC Eg2 qVD2 伏安特性关系式为： 正向偏压的方向由材料2指向材料1 （3）第三种情况 qVD1 Eg1 ΔEC Eg2 qVD2 伏安特性关系式为： 当q（VD2-V2）ΔEC时，相应的伏安特性关系式为： qVD1 Eg1 ΔEC Eg2 qVD2 伏安特性关系式为： 正向偏压的方向由材料2指向材料1 （4）第四种情况 qVD1 Eg1 ΔEC Eg2 qVD2 第四种情况能带图的伏安特性关系式与第一种 情况qVD1ΔEC能带图的伏安特性关系式相同 文献报道中的nN异质结能带图属于第一种情况的有： nN-Ge/Si, nN-Ge/GaAs, nN-Si/GaAs, nN-Si/ZnS 属于第三种情况的主要有： nN-Si/CdSe, nN-GaAs/ZnSe，nN-CdTe/CdS 3. 2 .2 pP异质结能带图 由于大多数半导体材料的空穴迁移率都很低，pP异质结的研究开展的很少，但作为一个类别有必要讨论pP异质结能带图，以保证体系的完整性。基于Anderson模型的pP能带图也分为4种情况： qVD1 Eg1 ΔEV Eg2 qVD2 （1）第一种情况 伏安特性关系式为： （2）第二种情况 qVD1 Eg1 ΔEV Eg2 qVD2 伏安特性关系式为： 正向偏压的方向由材料1指向材料2 （3）第三种情况 qVD1 Eg1 ΔEV