2013-30技术参数.docVIP

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2013-30技术参数 序号 仪器名称 技术参数与要求 数 量 1 透射电子显微镜 1. 技术规格: *1.1 分辨率 1.1.1 点分辨率:≤0.49nm 1.1.2 线分辨率:≤0.34nm *1.2 加速电压 1.2.1 加速电压范围:20kV - 120kV;加速电压连续可调,最小步长50V。 1.2.3 不同高压间切换:时间小于1分钟 1.2.4 加速电压稳定性: ≤ 4 ppm/10min *1.3 电子枪:LaB6灯丝;更换灯丝无需改变电子枪真空。 *1.4 物镜 1.4.1 焦距:≤6.1mm 1.4.2 球差系数:≤6.3mm 1.4.3 色差系数:≤5.0mm 1.4.4 最小聚焦步长:≤9.0nm 1.4.5 物镜电流稳定度:≤ 2 ppm/min 1.5 照明系统 1.5.1 构成:四级聚光镜系统 1.5.2 C2光阑:有四种光阑尺寸可调,分别为200um, 100um, 50um和30um 1.5.3照明模式:平行光模式和汇聚束模式。 *1.5.4 照明模式间切换:一键切换,仅需通过软件完成,勿需作更多的合轴调整。切换后系统稳定所需时间仅为几十秒。 1.5.5 束斑尺寸 1.5.5.1 平行光模式:W: 80-4000nm (LaB6: 40-2000nm),分11步调节 1.5.5.2 汇聚束模式:W: 8-300nm (LaB6: 4-150nm),分11步调节 1.5.6 束斑漂移:≤ 2nm/min 1.6 放大系统 1.6.1构成:四级放大镜系统 1.6.2 放大倍数:22倍 - 34万倍 1.7 样品台: *1.7.1 完全计算机控制,全对中,高稳定性样品台 *1.7.2 样品移动: X/Y:≥ 2mm;Z:≥ 0.75mm; *1.7.3 最大倾斜角:+/- 80°; 1.7.4 样品漂移(使用单倾样品杆):≤ 1nm/min *1.7.5 样品台具有智能位置跟踪系统。将搜索路径和存储位置以网格图显示,并根据需要恢复到观察样品时所走轨迹上的任何区域 1.7.6 样品台可存储记忆点数目:可存储和复位无穷多个感兴趣记忆点的5维(x, y, z, (, ()坐标参数以及放大倍数、光强、Spotsize等电子光学参数 *1.8 真空系统: 1.8.1 真空系统构成: 由一个机械泵,一个油扩散泵,一个离子泵构成的真空系统。 1.8.2 真空度: 样品区极限真空度: 1.0x10-6 Pa,电子枪极限真空度1.0x10-6Pa 1.8.3 更换样品时,高压和灯丝可以不退。 1.8.4 典型样品更换时间 1分钟 1.9 三维重构系统 *1.9.1最大倾角:( 70( 1.9.2 三维重构软件包括:数据采集、对中及重构、可视化处理三大模块完整一套。 *1.9.3 最大图像漂移:X/Y方向 ≤ 2um (+/- 70(内倾转) 1.9.4 最大欠焦量变化:≤ 4um (+/- 70(内倾转) 1.9.5 重复性:≤ 400nm (样品杆重复3次进入) *1.9.6 能对样品杆进行初始化校准,并将所有坐标参数存储下来,供对中时用。 *1.10A数字化CCD照相系统 (OSIS Veleta) 1.10A.1数字化CCD照相系统 1.10A.2安装位置:侧面安装 1.10A.3像素:感应尺寸2,048 x 2,048像素,像素大小:7.4μm 7.4μm 1.10A.4 动态范围:14-bit 1.10A.5 半导体制冷 1.10A.6 支持binning(1x, 2x, 4x, 8x) *1.10B数字化CCD照相系统 (Eagle 4K HS) 1.10B.1 CCD相机可以连续采集数据,所得TEM像、衍射花样等图像可以动态显示 1.10B.2 配备超高灵敏度荧光闪烁体 1.10B.3 安装位置:底部安装 1.10B.4 冷却方式:半导体循环冷却,制冷温度 -25oC 1.10B.5 像素:感应尺寸4,096 x 4,096像素,像素大小:15.0μm 15.0μm 1.10B.6 动态范围:16-bit 1.10B.7 读取速度:≥ 4.0 M pix/sec (4-port同时输出) 1.10B.7 耦合方式:光纤耦合 1.10B.8 支持binning(1x, 2x, 4x, 8x) *1.11 自动化功能 1.11.1 AutoGun模块:一键点亮(即自动加高压、然后自动加灯丝电流、最后自动打开镜筒上下两个真空阀),自动电子枪对中,自动灯丝饱和,更换灯丝后的自动调节 1.11.2 AutoAdjust模块:自动精细合轴(包括:自动聚焦、自动消像散、自动调节样品到全对中高度、自动旋转中心对中、自动图像像散器对中) 1.12 电镜操作和控制 *1.12.1数字化操作和控制系统,基于W

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