量子力学基础2010_4.ppt

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量子力学基础2010_4

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 3、产生激光的条件 要得到激光,就要使受激辐射占优势。因此,必须首先使 高能态的粒子数大大超过低能态。——粒子数反转 根据玻尔兹曼分布率 (1)粒子数反转: * * 要得到激光,就要使受激辐射占优势。因此,必须首先使 高能态的粒子数大大超过低能态。——粒子数反转 根据玻尔兹曼分布率 (1)粒子数反转: 3、产生激光的条件 * * * * * * 激励能源(泵浦)——光、气体放电、化学、核能等。 工作物质(激活物质)有合适的能级结构(亚稳态) 如氦氖激光器(氦氖按以一定比例混合) 亚稳态 亚稳态 为保证实现粒子数反转必须有: * * 光学抽送。 让原子与另一种已经激发的原子碰撞。 与电子和离子流碰撞。 使原子从更高的激发态经自发发射而跃迁下来, 也可以是以上方法的组合。 实现粒子数反转的方式: * * 谐振腔 氦、氖气体 阴极 反射镜 反射镜 阳极 管内受激发射的光子,沿管轴来回反射、增强,凡传播方向偏离管轴方向的逸出管外淘汰。 反射镜镀有多层膜,适当选择其厚度,使所需波长得到“相长干涉” 后,反射加强。 设计管长,使所需频率的波形成驻波(两端为波),形成稳定的振荡得到加强。 两端装有布儒斯特窗,得到所需的偏振态。 布儒斯特窗 * * 谐振腔的作用: 产生与维持光的振荡,使光得到加强。 使激光有极好的方向性。 使激光单色性好。 具有对光放大实行 选择、控制、增强 的作用。 * * § 27—2 半导体 1. 半导体: 电阻率介于导体和绝缘体之间。既有负电性载流子又有正电性载流子。 泡利不相容原理:同系统内电子的能量不能相同。 这一能级分裂成由 N条能级组成的能带后, 能带最多能容纳2N(2 +1)个电子。 2. 固体的能带理论 N个相距无限远的原子能级也是分立的, 当固体中N个原子紧密排列时?? * * 由于原子间的相互作用,原来同一大小的能级这时彼此数值上就有小的差异。同一能级就分裂成为一系列和原来能级很接近的仍包含N个能量的新能级。这些新能级基本上连成一片形成能带。能带之间则是任何电子都不能稳定存在的能量区域,称为禁带。 a * * 每个能级将分裂成彼此相差很小的的一组能级,称为能带。内层能级被电子填满,由它分裂成的能带也被电子占满,称为满带,外层能级未被电子填满,它分裂成的能带亦未被填满,称为导带。 固体能带间的能量距离??g ,称为禁带。从能带角度看,半导体和绝缘体的差别仅在于两者的禁带不同,前者较窄, 后者较宽,而金属的 ??g =0 。 * * (1)半导体的禁带很窄,满带中的电子较易进入导带。导带中的电子在外场作用下可向稍高能级转移参与导电。 (3)导体没有禁带,可显示很强的导电性。 (2)绝缘体的禁带很宽,满带中的电子很难进入导带,导电性很差。 外 场 满带 导带 满带 导带 满带 导带 (1)半导体 禁带 禁带 外 场 (2) 绝缘体 (3)金属 * * 3. 半导体的分类 (1)本征半导体 纯净的半导体,如硅、锗等。 半导体禁带宽度窄、在外场的作用下, 导带中的电子、满带中的空穴都可参与导电。 外 场 满带 导带 * * (2)杂质半导体 半导体成为以电子导电为主的n 型半导体。 电子密度高,是多子 外场 满带 导带 施主能级 n 型半导体 * * P 型半导体 半导体成为空穴型导电的P型半导体。 外场 满带 导带 受主能级 空穴密度高,是多子 * * 4. P-N 结: 结果:交界处出现正、负电偶层,阻挡继续扩散达到平衡,形成P-N结。 P 型材料中的空穴将向 N 型材料扩散。 N 型材料中的电子将向 P 型材料扩散。 (1)形成:P与N密切接触 漂移-电场的作用使带电粒子定向运动。 扩散-密度不同导致粒子的定向运动运动。 扩散与漂移达到平衡-PN 结 P型、N型半导体是电中性的固体 * * 正向连接时,P中的空穴,N中的电子都易于通过P-N结, 形成P ? N的正向宏观电流。 (2)作用: PN 结具有单向导电作用,是制造二极管整流器和集成电路的材料。 正向连接 反向连接 反向连接时,P中的空穴和N中的电子都难以通过P-N结。故 P-N结具有单向导电的性能。 * * 物理学是一项

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