金属半导体和半导体异质结.ppt

第九章 金属半导体和半导体异质结 9.1 肖特基势垒二极管 9.2 金属半导体的欧姆接触 9.3 异质结 9.1 肖特基势垒二极管 金属中的电子向半导体中运动存在势垒?B0 叫做肖特基势垒。 例2：受主浓度为NA=1017cm-3的p型Ge, 室温下的功函数是多少？若不考虑界面态的影响，它与Al接触时形成整流接触还是欧姆接触？如果是整流接触，求肖特基势垒的高度 9.1.2 理想结的特性 半导体中空间电荷区的电荷、电场、电势的分布 假设半导体均匀掺杂Nd. 结电容： 9.1.3影响肖特基势垒高度的非理想因素 Figure 9.4 9.1.4 电流-电压关系 Figure 9.9 Figure 9.10 9.2 金属半导体的欧姆接触 金属与n型半导体接触：?m ?s 9.2 金属半导体的欧姆接触 由于半导体表面态的存在，假定半导体能带隙的上半部分存在受主表面态，那么所有受主态都位于EF之下，如图9.11b.这些表面态带负电荷，将使能带图发生变化。 同样地假定半导体能带隙的下半部分存在施主表面态，如图9.13b，所有施主态都位于EF之上，这些表面态带正电荷，将使能带图发生变化。因此表面态的作用无法形成良好的欧姆接触 9.3异质结 9.2.2 能带图 Figure 9.18 9.3.4静电特性 9.3.4静电特性 2.耗尽层中的电荷分布 4.电场： 5.电势 6.耗尽层宽度 7.电容 9.3.3 二维电子气 Figure 9.20 Js m是电子从半导体扩散到金属中的电流密度， Jm s是电子从金属扩散到半导体中的电流密度。 ??随着电场强度和反偏电压的增大而增大，反偏电流随反偏电压的增加而增加。 9.1.5肖特基势垒二极管 和pn结二极管的比较 pn结二极管 肖特基 虽然J-V特性的形式非常相似，但反向饱和电流密度的公式有很大区别，两种器件的电流输运机构是不同的。Pn结的电流是由少数载流子的扩散运动决定的，而肖特基势垒二极管中的电流是由多数载流子通过热电子发射跃过内建电势差而形成的。 JsTJS, 2.两种二极管正偏时的特性也不同，肖特基二极管的开启电压低于pn结二极管的有效开启有效开启电压。 3.二者的频率响应特性，即开关特性不同。 pn结从正偏转向反偏时，由于正偏时积累的少数载流子不能立即消除，开关速度受到电荷存储效应的限制；肖特基势垒二极管，由于没有少数载流子存储，可以用于快速开关器件，开关时间在皮秒数量级，其开关速度受限于结电容和串联电阻相联系的RC延迟时间常数。工作频率可高达100GHz.而pn结的开关时间纳秒数量级 MS可以用来加快BJT的瞬态关断过程。称为肖特基二极管的钳制。它的作用是，当BJT在开启状态进入饱和模式时，MS二极管导通并把CB结钳制到相对低的正偏压下，这种方法利用了MS能比pn结的导通电压低这一特点。这样CB结可以维持在一个相对较低的电压上，在BJT中可以有最少的电荷储存。所以关断的时间显著减少。 肖特基二极管钳制npnBJT的电路图 电子从S流向M没有势垒，反之，仅有一小的势垒 ?M?s，欧姆接触 正偏： 电子从半导体流向金属没有遇到势垒， VA0, 就会有很大的正向电流 反偏：电子从金属流向半导体会遇到小的势垒，反偏 电压VR大于零点几伏，势垒就会变为0，在相对 较小的反偏电压下，会有很大的电流。且电流 不饱和 结论：?M?s形成欧姆接触 实际要形成欧姆接触时，要求半导体重掺杂，使空间电荷层很薄，发生隧道穿透。 9.2 金属半导体的欧姆接触 9.2 金属半导体的欧姆接触 金属与P型半导体接触：?m ?s 实际的MS接触 欧姆接触的形成 在MS接触下方半 导体的重掺杂有助 于欧姆接触的形成 穿过势垒型接触的发射电流随掺杂的变化 遂道效应 金属半导体接触的空间电荷层宽度与半导体掺杂浓度的平方根成反比，随着掺杂浓度的增加，遂穿效应增强 9.1.1半导体异质结 两种不同半导体材料接触形成的结 反型异质结：由导电类型相反的两种不同的半导体 单晶材料所形成的异质结如p-Ge和 n-GaAs 记为p-nGe-GaAs 如p-nGe-Si, n-pGe-GaAs 同型异质结：导电类型相同的两种半导体材料所形 成的异质结.如n-nGe-Si, p-p Ge- GaAs ,p-pSi-GaP 一般把禁带