阻挡层金属.ppt

金属化 阻挡层金属 用于铜互连结构的阻挡层：提高欧姆接触可靠性更有效的方法是用阻挡层金属化，这种方法可消除诸如浅结材料刻蚀或结尖刺的问题。阻挡层金属是淀积金属或金属塞，作用是阻止层上下的材料互相混合（见下图）。其厚度对0.25μm工艺来说为100nm；对0.35μm工艺来说为400～600nm。 阻挡层金属在半导体工业中被广泛应用。为了连接铝互连金属和硅源漏之间的钨填充薄膜接触，阻挡层金属阻止了硅和钨互相进入接触点，也阻止了钨和硅的扩散以及任何结尖刺。可接受的阻挡层金属的基本特征： 1. 有很好的阻挡扩散作用； 2. 高导电率具有很低的欧姆接触电阻； 3. 在半导体和金属之间有很好的附着； 4. 抗电迁徒； 5. 在很薄的并且高温下具有很好的稳定性； 6. 抗侵蚀和氧化。 通常用作阻挡层的金属是一类具有高熔点被认为是难熔的金属。在硅片制造业中，用于多层金属化的普通难熔金属有钛（Ti）、钨（W）、钽（Ta）、钼（Mo）、钴（Co）和铂（Pt）。钛钨（TiW）和氮化钛（TiN）也是两种普通的阻挡层金属材料，它们阻止硅衬底和铝之间的扩散。 铜在硅和二氧化硅中都有很高的扩散率，这种高扩散率将破坏器件的性能。传统的阻挡层金属对铜来说阻挡作用不够，铜需要由一层薄膜阻挡层完全封闭起来，这层封闭薄膜的作用是加固附着并有效地阻止扩散。在这两个要求之间需要有一个平衡和折中，因为好的附着需要与铜有某种程度的反应，而好的阻挡层金属却需要和铜之间没有反应。对铜来说对这个特殊的阻挡层金属要求： 1. 阻止铜扩散； 2. 低薄膜电阻； 3. 对介质材料和铜都有很好的附着； 4. 与化学机械平坦化过程兼容； 5. 具有很好的台阶覆盖，填充高深宽比间隙的金属层是连续、等角的； 6. 允许铜有很小的厚度，占据最大的横截面积。 钽作为铜的阻挡层金属：对于铜互连冶金术来说，钽、氮化钽和钽化硅（TaSiN）都是阻挡层金属的待选材料，阻挡层厚度必须很薄（约75埃），以致它不影响具有高深宽比填充薄膜的电阻率而又能扮演一个阻挡层的角色。 金属阻挡层最新技术 CrN中间层阻挡元素扩散的能力研究 李伟洲 刘山川 宫骏 孙超 姜辛 【摘要】：为了降低涂层和基体间的元素互扩散,采用电弧离子镀技术在NiCrAlY防护涂层和DSM11基体间加入CrN扩散阻挡层。用扫描电镜(SEM)观察了沉积态CrN涂层、退火和氧化态NiCrAlY/DSM11和NiCrAlY/CrN/DSM11的表面和截面形貌;通过能谱(EDS)分析了元素沿防护涂层和扩散阻挡层的截面分布;用X射线衍射仪(XRD)检测了防护涂层和扩散阻挡层的物相结构;用透射电镜(TEM)观察了样品退火和氧化后扩散阻挡层的形貌特征;利用1100℃恒温氧化实验比较了单一 NiCrAlY涂层和NiCrAlY/CrN涂层体系的抗氧化能力,结合真空扩散实验分析了高温情况下元素在涂层和基体间的扩散。结果表明:CrN扩散阻挡层能有效地抑制合金元素的互扩散。其原因与高温下CrN→Cr2N→TiN的转变有关;TiN在扩散阻挡层的生成有利于防护涂层抗氧化能力的提高。 【作者单位】： 广西大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室;中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室;德国锡根大学材料工程研究所; 文献网址：/Article/CJFDTotal-HKCB201002012.htm 碱金属阻挡层（专利技术） 本发明涉及一种玻璃板，包括玻璃基材，和位于玻璃基材至少一部分表面上的叠层，叠层中包括阻挡层，形成对所述基材内所包含离子迁移的阻挡，这些离子特别是碱金属Na+或K+，所述阻挡层在叠层之中，位于所述基材的表面和至少一个顶层之间，在所述玻璃板之上的顶层具有防阳光、低发射、抗反射、光催化、疏水性及其它功能。所述阻挡层基本上由氧化硅或氮氧化硅组成，所述玻璃板的特征在于，所述氧化硅或氧氮化物还包括一种或多种选自由Al、Ga或B组成的组中的元素，并且特征还在于，在所述阻挡层中Si/X的原子比严格地低于92/8，X是所述元素，即Al、Ga和B的原子份额总和。 专利申请日：2012.05.24 公开(公告)日：2014.03.05 申请(专利权)人：法国圣戈班玻璃厂 文献网址：/zhuanli/9741202/ Cu金属化系统双扩散阻挡层的研究 王晓冬 吉元 钟涛兴 李志国 夏洋 刘丹敏 肖卫强 【摘要】：采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构;利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况。测试结果表明,双阻挡层中Ta黏附层有效