选择正确的超低静态电流LDO稳压器.docVIP

目前有许多应用皆使用低压降稳压器（通常称为 LDO），因为其简单又低价，能针对由较高输入电压降压所产生的输出电压进行调节。 除此之外，与切换式稳压器相比，线性 LDO 稳压器产生的杂讯超低。 虽然如此，为了保持低系统功耗，此类稳压器亦需具备超低静态电流 IQ ，同时提供优异的动态效能，确保达到稳定、无杂讯的电压轨，以便驱动 IC 负载，例如微处理器、FPGA 以及系统板上的其他元件。 实际情况中，超低 IQ 和良好的动态响应特性并没有绝对关系。 实际上，具有相同 IQ 电流规格的两个相似 LDO 在动态效能上可能会大不相同。 根据 ON Semiconductor 的应用说明1，这两个要求通常是彼此排挤，因此对於功率 IC 设计人员来说是一大挑战。 因此，目前市面上没有多少 LDO 能同时满足这两种要求。 偏压超低 IQ LDO　　 根据 On Semi，影响超低 IQ LDO 稳压器动态效能的两大因素分别是元件制造时所用的制程技术以及相关的电路设计。 先进的制程，例如 CMOS 或 BiCMOS 皆可针对功率元件进行最佳化达到低功耗和高速效能，动态效能则视电路设计而定。 ON Semiconductor 的功率 IC 设计人员结合这两种技术，达成优异成果。 除了提供超低 IQ 以及优异的线路和负载暂态，其 LDO 更具有超低输出杂讯以及高电源拒斥比 PSRR 特性。 其他