4.p-n结.pptVIP

右图显示温度对硅二极管反向特性的影响．在低温时，产生电流占优势，且对于突变结(即W～VR1/2)，反向电流随VR1/2变化．当温度上升超过175℃，在VR≥3kT/q时，产生电流有饱和的趋势，扩散电流将占优． 电流－电压特性 在正向偏压下，电子由n区被注入到p区，而空穴由p区被注入到n区．少数载流子一旦越过结注入，就和多数载流子复合，且随距离呈指数式衰退，如图所示．这些少数载流子的分布导致在p-n结上电流流动及电荷储存。下面分析电荷储存对结电容的影响和偏压突然改变导致的p-n结的暂态响应. 被注入的少数载流子储存在中性n区，其每单位面积电荷可由对在中性区额外的空穴积分获得，如图的图形面积所示，由 少数载流子(minority carrier)的储存： 可得 电荷存储和暂态响应 类似的式子可以表示在电中性p区的储存电子．所储存的少数载流子数量和扩散长度及在耗尽区边界的电荷密度有关．由上式和 上式说明电荷储存量是电流和少数载流子寿命的乘积．这是因为若注入的空穴寿命较长，则在被复合之前，会更深地扩散入n区，因而 可储存较多的空穴． 得到 电荷存储和暂态响应 例7：对于一理想硅p+-n突变结，其ND＝8×1015cm-3．计算当外加1V正向 偏压时，储存在中性区少数载流子每单位面积的数目．空穴的扩散长 度是5um。 得到 解 由 电荷存储和暂态响应 当结处于反向偏压时，前面讨论的耗尽层势垒电容为主要的结电容． 当结处于正向偏压时，中性区储存电荷的重新排列，对结电容会产生显 著的附加电容，这称为扩散电容，标示为Cd，这个名称因其少数载流子 通过扩散穿越中性区而来． 由定义 扩散电容(diffusion capacitance) 得到储存在中性n区的空穴所形成的扩散电容 和 其中A为器件横截面积．也可将中性p区所储存的电子作用加入Cd．然而对于p+-n结而言，np0pn0，储存电子对Cd的作用并不重要．在反向偏压之下(亦即V为负值)，因为少数载流子储存可忽略，上式显示Cd并不重要． 电荷存储和暂态响应 在许多应用中，通常用等效电路表示p-n结．除了扩散电容C和势垒电容C外，我们必须加入电导来考虑电流流经器件的情形．在理想二极管中，电导可由式 获得， 二极管的等效电路如图所示，其中Cj代表总势垒电容．在静止偏压(亦即直流dc)的二极管外加一低电压正弦激发下，该图所示的电路已提供了足够的精确度，可称它为二极管的小信号等效电路。 电荷存储和暂态响应 在开关应用上，正向到反向偏压暂态过程必须近于突变，且暂态时间必须很短．图(a)显示，正向电流IF流经p-n结的简单电路．当时间t＝0，开关S突然转向右边，有一起始反向电流IR开始流动．暂态时间toff如图(b)所示，是电流降低到只有10％的起始反向电流IR所需的时间． 暂态响应(transient behavior) 电荷存储和暂态响应 当一足够大的反向电压加在p-n结时，结会击穿而导通一非常大的电流．两种重要的击穿机制为隧道效应和雪崩倍增．对大部分的二极管而言，雪崩击穿限制反向偏压的上限，也限制了双极型晶体管的集电极电压 当一反向强电场加在p-n结时，价电子可以由价带移动到导带，如图所示．这种电子穿过禁带的过程称为隧穿．隧穿只发生在电场很高的时候．对硅和砷化镓，其典型电场大约为106V/cm或更高．为了得到如此高的电场，p区和n区的掺杂浓度必须相当高(＞5×1017cm-3)． 隧道效应(tunneling effect)： 结击穿 雪崩倍增的过程如图所示．在反向偏压下，在耗尽区因热产生的电子(标示1)，由电场得到动能． 如果电场足够大，电子可以获得足够的动能，以致于当和原子产生撞击时，可以破坏键而产生电子-空穴对(2和2’)．这些新产生的电子和空穴，可由电场获得动能，并产生额外的电子-空穴对(譬如3和3’)．这些过程生生不息，连续产生新的电子-空穴对．这种过程称为雪崩倍增． 雪崩倍增(avalanche multiplication) 结击穿 假设电流In0由一宽度为W的耗尽区左侧注入，如图所示．假如在耗尽区内的电场高到可以让雪崩倍增开始，通过耗尽区时电子电流I随距离增加，并在W处达到MnIn0.其中Mn为倍增因子，定义为 雪崩击穿电压定义为当M接近无限大的电压，因此，击穿条件是 其中?为电子或空穴的电离率 结击穿 由上述的击穿条件以及和电场有关的电离率，可以计算雪崩倍增发生时的临界电场．使用测量得的?n和?p，可求得硅和砷化镓单边突变结的临界电场Ec，其与衬底掺杂浓度的函数关系如图所示．图中亦同时标示出隧道效应的临界电场．显然，隧穿只发生在高掺杂浓度的半导体中. 对于硅和砷化镓结，