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试题一答案 　　 一、1：4；　　　　 2：O2-离子做面心立方密堆积，Na+填全部四面体空隙；　　　　 3：=4CN O2-=8 [NaO4][ONa8]；　　　　 4：O2-电价饱和，因为O2-的电价=（Na+的电价/Na+的配位数）×O2的配位数；　　　　 5： ? 　　　二、1：Al4[Si4O10](OH)8；　　　　　2：单网层状结构；　　　　　3：一层硅氧层一层水铝石层且沿C轴方向堆积；　　　　　4：层内是共价键，层间是氢键；　　　　　5：片状微晶解理。　　　三、1：点缺陷，线缺陷，面缺陷；　　　　　2：由低浓度向高浓度的扩散；　　　　　3：坯体间颗粒重排，接触处产生键合，大气孔消失，但固-气总表面积变化不大；　　　　　4：按硅氧比值分类或按硅氧聚和体的大小分类；　　　　　5：表面能的降低，流动传质、扩散传质、气相传质和溶解-沉淀传质；　　　　　6：随自由能的变化而发生的相的结构的变化，一级相变、二级相变和三级相变。　　　四、 1：O←→VNa ′+VCl˙　　　　　 2：AgAg→Agi˙+VAg′　　　　　 3：3TiO23TiNb˙+VNb˙+6OO2TiO22TiNb˙+Oi′′+3O0　　　　　　　Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x　　　　　 4：NaClNaCa′+ClCl+VC