characterization ,modeling ,and apllication of 10-kv sic mosfet.pptxVIP

10kv SIC MOSFET的特性、模型、与应用10kv-sic mosfet A摘要 B引言C器件特性与模型D器件应用于分析Abstract 10kv sic mosfet 在各国组织的推动下迅速发展 ，目标是使它能用在高电压、高频率功率变换上。此文通过获得sic mosfet 器件的主要特性以论证它的真实应用前景。通过广泛的特性分析和spice 模型来获取此器件在不同工作条件下的损耗。20-khz 370-w dc/dc boost converter based on a 10-kv 4H-Sic DMOSFET and diodes is designed and experimentlly demonstrated .对sic mosfet 实验特性分析发现 导通损耗主要决定处于硬开关环境 采用传统热布局的 器件的最高运行频率。用10-kv sic jbs diodes 代替10-kv sic pin diode 来作为升压二极管，可以减少 导通损耗，使用的门电阻也会更小。10-kv sic mosfet 器件更低的损耗、更快的开关速度，使它在高电压，高频率的功率变换应用前景 无比诱人。INTRODUCTIONUMOSFET Palmou 1992低的反型层漂移率/沟道角落易被氧化破坏ACCUFETBaLiga1997能防氧化sic DMOSFETShenoy