北京工业大学半导体物理7个实验预习.pptxVIP

实验一 四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻王娜一、实验目的掌握四探针法测量材料电阻率和薄层电阻的测量原理及方法，针对不同几何尺寸的样品，掌握其修正方法; 了解影响电阻率测量的各种因素及改进措施;了解热探针法判断半导体材料的导电类型以及用阳极氧化剥层法求扩散层中的杂质浓度分布。二、实验设备及其在本实验中的作用设备名称型号用途千分尺测量样品几何尺寸决定其修正系数读数显微镜测量样品几何尺寸决定其修正系数四探针测试仪得其电阻率、方块电阻及标准差三、实验原理2.1半导体材料的电阻率在半无穷大样品上的点电流源，若样品的电阻率ρ均匀，引入点电流源的探针其电流强度为I，则所产生的电力线具有球面的对称性，即等位面为一系列以点电流为中心的半球面。在以r为半径的半球面上，电流密度j的分布是均匀的：若E为r处的电场强度，则：由电场强度和电位梯度以及球面的对称关系，则取r为无穷远处的电位为零，则所以上式就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离为ｒ的点的电位与探针流过的电流和样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流源对距离ｒ处的点的电势的贡献。对于图1.2所示的情形，四根探针位于样品中央，电流从探针1流入，从探针4流出，则可将1和4探针认为是点电流源，由(1.6)式可知，2和3探针的电位为：2、3探针的电位差为：由此可得样品的电阻率为上式就是利用直流四探