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NOR Flash 存储器测试方法介绍 NOR FLASH简介 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片，数据掉电不会丢失。NOR FLASH支持Execute ON Chip，即程序可以直接在FLASH片内执行。这点和NAND FLASH不一样。因此，在嵌入是系统中，NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质。 NOR FLASH的读取和RAM很类似，但不可以直接进行写操作。对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列，最终由芯片内部的控制单元完成写操作。从支持的最小访问单元来看，NOR FLASH一般分为 8 位的和16位的(当然，也有很多NOR FLASH芯片同时支持8位模式和是16 位模式，具体的工作模式通过特定的管脚进行选择) 。 对8位的 NOR FLASH芯片，或是工作在8-BIT模式的芯片来说，一个地址对应一BYTE(8-BIT)的数据。 在对FLASH进行写操作的时候，每个BIT可以通过编程由1变为0，但不可以有0修改为1。为了保证写操作的正确性，在执行写操作前，都要执行擦除操作。擦除操作会把FLASH的一个SECTOR，一个BANK或是整片FLASH 的值全修改为0xFF。这样，写操作就可以正确完成了。 BIT的NOR FLASH例如一块8-BIT的NOR FLASH，假设容量为4个 BYTE。那芯片应该有8个数据信号D7-D0 和2个地址信号，A1-A0。地址0x0对应第0个 BYTE，地址0x1对应于第1BYTE，地址0x2对应于第2个 BYTE，而地址0x3则对应于第3 个BYTE BIT的NOR FLASH对16位的 NOR FLASH芯片，或是工作在16-BIT模式的芯片来说，一个地址对应于一个HALF-WORD(16-BIT)的数据。例如，一块16-BIT的 NOR FLASH，假设其容量为4个BYTE。那芯片应该有16 个数据信号线D15-D0 和1个地址信号A0。地址 0x0对应于芯片内部的第0个 HALF-WORD，地址0x1对应于芯片内部的第1个 HALF-WORD。 FLASH一般都分为很多个SECTOR，每个SECTOR包括一定数量的存储单元。对有些大容量的FLASH，还分为不同的BANK，每个BANK包括一定数目的SECTOR。FLASH的擦除操作一般都是以SECTOR，BANK或是整片FLASH为单位的。 该芯片是一个64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit)的Nor Flash 芯片。 1. 管脚说明如下 A21–A0 22 Addresses DQ14–DQ0 15 Data Inputs/Outputs (x16-only devices) DQ15/A-1 DQ15 (Data Input/Output, word mode), A-1 (LSBAddress Input, byte mode) CE# Chip Enable OE# Output Enable WE# Write Enable WP#/ACC Hardware Write Protect/Acceleration PinRESET#=Hardware Reset Pin, Active Low BYTE# Selects 8-bit or 16-bit mode RY/BY# Ready/Busy Output VCC 3.0 volt-only single power supply(see Product Selector Guide for speedoptions and voltage supply tolerances) VSS Device Ground NC=Pin Not Connected Internally 2. 芯片的Bus Operations 如下： 芯片的Command Definitions 解释说明 读模式：读由#CE 和#OE 控制当两者都为低电平时可以从FlashROM 中读取数据FlashROM 的编程的基本单位是“页”，每一“页”包含一定的数据（一般为128 字节或256 字节）。如果要修改一“页”中的某一个字节的数据，需要将这一“页”的数据全部读出，修改指定的字节，再写回至FlashROM中。在写入每一“页”的时候，如果该“页”的某个字节没有被写入FlashROM，那么FlashROM 中的对应位置上的数据将会被擦除为0xFF。即在写入时都是只允许将“1”改成“0”，而不允许将“0”改成“1”。一般是#CE 和#WE 为低电平且#OE 为高电平写操