_第1章半导体器件(蔡大华)_2(场效应管).pptVIP

场效应管分类： 结型场效应管的工作原理（动画操作） 输出特性 (动画） JEFT原理（动画2） MOSFET结构（动画） Mos增强型场效应管工作原理（动画） * XCOPY /S 表示复制子目录，但若为空子目录，则不复制 /S/E表示复制子目录，空子目录，也复制 DIR /P 显示一屏，换页 /W TREE /F显示目录结构及文件 * XCOPY /S 表示复制子目录，但若为空子目录，则不复制 /S/E表示复制子目录，空子目录，也复制 DIR /P 显示一屏，换页 /W TREE /F显示目录结构及文件 * XCOPY /S 表示复制子目录，但若为空子目录，则不复制 /S/E表示复制子目录，空子目录，也复制 DIR /P 显示一屏，换页 /W TREE /F显示目录结构及文件 * XCOPY /S 表示复制子目录，但若为空子目录，则不复制 /S/E表示复制子目录，空子目录，也复制 DIR /P 显示一屏，换页 /W TREE /F显示目录结构及文件 * XCOPY /S 表示复制子目录，但若为空子目录，则不复制 /S/E表示复制子目录，空子目录，也复制 DIR /P 显示一屏，换页 /W TREE /F显示目录结构及文件 JEFT转移特性.swf * XCOPY /S 表示复制子目录，但若为空子目录，则不复制 /S/E表示复制子目录，空子目录，也复制 DIR /P 显示一屏，换页 /W TREE /F显示目录结构及文件 * XCOPY /S 表示复制子目录，但若为空子目录，则不复制 /S/E表示复制子目录，空子目录，也复制 DIR /P 显示一屏，换页 /W TREE /F显示目录结构及文件 * XCOPY /S 表示复制子目录，但若为空子目录，则不复制 /S/E表示复制子目录，空子目录，也复制 DIR /P 显示一屏，换页 /W TREE /F显示目录结构及文件 * * * XCOPY /S 表示复制子目录，但若为空子目录，则不复制 /S/E表示复制子目录，空子目录，也复制 DIR /P 显示一屏，换页 /W TREE /F显示目录结构及文件 * XCOPY /S 表示复制子目录，但若为空子目录，则不复制 /S/E表示复制子目录，空子目录，也复制 DIR /P 显示一屏，换页 /W TREE /F显示目录结构及文件 * XCOPY /S 表示复制子目录，但若为空子目录，则不复制 /S/E表示复制子目录，空子目录，也复制 DIR /P 显示一屏，换页 /W TREE /F显示目录结构及文件 一、N 沟道增强型 MOS 场效应管 1. 工作原理 绝缘栅场效应管利用uGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 iD。 2.工作原理分析 (1)uGS = 0 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。 S B D P 型衬底 N+ N+ B G S D (2) uDS = 0，0 uGS UGS(th) P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG - - - - - - - - - - - - N 型沟道 栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近 SiO2 一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。增大 uGS 耗尽层变宽。 (3) uDS = 0，uGS ≥ UGS(th) 　　由于吸引了足够多P型衬底的电子， 会在耗尽层和 SiO2 之间形成可移动的表面电荷层——反型 层、N 型导电沟道。 　　　　　　　　　　　　　  uGS 升高，N 沟道变宽。因为 uD