光通信技术-高掺硼石英材料性能.docVIP

改进的PCVD工艺制造高掺硼材料的性能研究 童维军1,2 刘德明1 汪洪海2 罗杰2 （1 华中科技大学光电工程系 武汉 430073；2 长飞光纤光缆有限公司研发部 武汉 430073） 摘要 一种用于制造光纤的高掺硼石英材料的性能总结，它采用改进的PCVD工艺合成。在简单回顾基本的工艺条件和关键工艺参数之后，材料性能，如玻璃结构、折射率、粘度、热膨胀系数和残余应力，被主要讨论。两种高掺硼光棒的性能也被介绍。 关键词 硼掺杂 应力棒 保偏光纤 PCVD 石英玻璃 1. 引言 光纤的物理性能取决于基质材料的特性和制造工艺，它涉及到广泛的物理、化学、材料科学的基本规律。过去30多年的石英光纤领域里，发展了四种典型的光纤制造工艺，并形成了规模的产业化，他们分别是改进的化学气相沉积工艺（MCVD）、轴向气相沉积工艺（VAD）、外部气相沉积工艺（OVD）和等离子体化学气相沉积工艺（PCVD）[1]。对于常规Ge、P、F掺杂的石英光纤而言，材料的物理性能，如损耗、折射率、热膨胀系数、粘度、机械强度等，已被广泛地研究[2]。然而，要查询一些特殊掺杂工艺相关的文献却并不容易，尤其是高掺硼的掺杂工艺。此外，随着石英基特征光纤的发展，如保偏光纤（PMF）[3]和光敏光纤（PSF），经常发现一些特殊掺杂材料的性能成为该特种光纤制造的技术关键或工艺瓶颈。正是这些特殊掺杂使特种光纤具有区别于常规光纤的