新能源材料第11讲.ppt

11 Ⅱ-Ⅵ族多晶薄膜太阳电池材料 11.1 引言 11.2 材料性质 11.3 太阳电池的结构及工作原理 11.4 薄膜材料及太阳电池的制备工艺 11.5 薄膜太阳电池的发展现状和前景 11.1 引言 近年来光伏市场发展及其迅速。为了适应太阳电池高效率、低成本、大规模生产化发展的要求，最有效的办法是发展薄膜太阳电池技术。 在薄膜光伏材料中，CdTe已成为公认的高效、稳定、廉价的薄膜光伏器件材料。 20世纪70年代开始，另一种制作薄膜太阳电池的新材料CuInSe2薄膜材料获得迅速发展。 11.2 材料性质 11.2.1 CdTe薄膜材料性质 1）结构性质 CdTe是Ⅱ-Ⅵ族化合物，是直接带隙材料，带隙为1.45eV。且其光谱响应与太阳光谱十分吻合。 2）光学性质 由于CdTe薄膜具有直接带隙结构，所以对波长小于吸收边的光，其光吸收系数极大。 3）电学性质 CdTe是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，其结构与Si、Ge有相似之处，即其晶体主要靠共价键合物结合，但具有一定的离子性。 11.2.2 CdS薄膜材料性质 1）结构性质 CdS是非常重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。CdS薄膜具有纤锌矿结构，是直接带隙材料，带隙较宽，为2.42eV。实验证明，由于CdS层吸收的光谱损失不仅和CdS薄膜的厚度有关，还与薄膜形成方式有关。 2）光学性质 CdS薄膜广泛应用于太阳电池窗口层，并作为n型层与p型材料形成pn结，从而构成太阳电池。 3）电学性质 一般而言，本征CdS薄膜的串联电阻很高，不利于做窗口层，但当衬底温度在300℃～350℃之间时，将In扩散入CdS中，本征CdS变成n- CdS，电导率可达102 S/cm。 11.2.2 CuInSe2薄膜材料性质 1）结构性质 CuInSe2是非常重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。具有黄铜矿、闪锌矿两个同素异形的晶体结构。 CuInSe2是直接带隙半导体材料，77K时的带隙为1.04eV，300K时为1.02eV，带隙对温度变化不敏感。 2）光学性质 CuInSe2具有一个0.95eV～1.04eV的允许直接本征吸收限和一个1.27eV的禁带直接吸收限，以及由于DOW Redfiled效应而引起的在低吸收区的附加吸收。 3）电学性质 CuInSe2材料的电学性质（电阻率、导电类型、载流子浓度、迁移率）主要取决于材料各元素组分比，以及由于偏离化学计量比而引起的固有缺陷（如空位、填隙原子、替位原子），此外还与非本征掺杂和晶界有关。 11.3 太阳电池的结构及工作原理 11.3.1 CdTe/CdS太阳电池 CdTe/CdS薄膜太阳电池参数的理论值为：开路电压（VOC）1050mV；短路电流（JSC）30.8mA/cm2；填充因子（FF）83.7；转换效率约27％。 下图列出典型CdTe/CdS太阳电池性能。 11.3.2 CuInSe2太阳电池 近20年来，出现了多种以CuInSe2薄膜材料为基础得同质结太阳电池和异结太阳电池主要有： n-CdS/P-CuInSe2太阳电池 Pin型CdS/ CuInSe2太阳电池 （ZnCd）S/ CuInSe2太阳电池 11.4 薄膜材料及太阳电池得制备工艺 11.4.1 CdTe、CdS薄膜材料及CdS/ CdTe太阳电池得制备方法 制备 CdS、CdTe薄膜方法主要有：CSS；电镀；丝网印刷；CVD（化学气相淀积）；PVD（物理气相淀积）；MOCVD（金属有机气相淀积）；MBE（分子束外延）；ALE（原子层外延）；喷涂；溅射；真空蒸发；电沉积等。 CSS方法制备CdTe薄膜的优点是，蒸发材料损失少，结晶方向好，光伏特性优良。 11.4.2 CdS/ CdTe太阳电池制备中的主要影响因素 1）CdCl2处理 在制作高效CdS/ CdTe太阳电池中，CdTe层生长期间用CdCl2或Cl2进行热处理。CdCl2处理改善了太阳电池得性能，提高了器件得输出特性和均匀性。 2）背接触 制备CdTe太阳电池工艺最难和最弱的部分是稳定的低电阻背接触。形成背接触电极的程序为：①腐蚀或表面制备；②使用含Cu、Hg、Pb或Au的膜；③连续在大于150℃中热处理。 11.4.3 CuInSe2薄膜生长工艺 CuInSe2薄膜生长方法主要有真空蒸发法、Cu-In合金膜的硒化处理法、封闭空间气相输运法、喷涂热解法、射频溅射