杂质缺陷-by石聪12121855.pptVIP

. 半导体中的杂质缺陷 杂质缺陷 石聪目录 杂质 杂质的分类 杂质在半导体中的分布 杂质原子的影响 缺陷 杂质缺陷的分类及作用 化合物半导体中的杂质缺陷 III-V族化合物中的杂质 两性杂质 单极型半导体和双极型半导体 杂质 杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素 杂质来源: （1）有意掺入为了控制半导体的性质 （2）无意掺入原材料工艺上纯度不够,或沾污 杂质在半导体中的分布状况 （1）替位式杂质 （2）间隙式杂质 杂质在半导体中的分布 A为间隙式杂质,位于晶格原子间的间隙位置的杂质.这种原子一般比较小,如离子锂半径为0.068nm,很小,在硅、锗、砷化镓中是间隙式杂质。 B为替位式杂质,取代晶格原子而位于晶格点处的杂质.这种原子的大小一般与被取代的晶格原子大小比较接近，而且要求它们的价电子壳层结构也比较接近。如III，V族元素在硅、锗晶体中是替位式杂质。 杂质原子在Si晶体中的两种存在方式 杂质原子的影响 (1)杂质出现在半导体中时，产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏： (2)在禁带中引入允许电子具有的能量状态(即杂质能级)，从而对半导体性质产生决定性的影响 杂质能级Et Ec Ev (3)在纯净半导体中掺入施主或受主杂质,杂质电离以后,导带中的导电载流子增多,增强了半导体的导电能力。 杂质的分类 浅能级杂质 浅能级杂质在半导体中起施主或受主的作用，主要通过提供载流子来改变半导体的特性 深能级杂质 深能级杂质能够产生多次电离，每一次电离相应地有一个能级。在硅、锗禁带中引入若干个能级。 对半导体的导电电子浓度、导电空穴浓度和导电类型的影响没有浅能级杂质显著，但对载流子的复合作用比浅能级杂质强，故这些杂质也称为复合中心。 E D EA Ec Ev △ED △EA △E D △EA EA E D Ec Ev 缺陷 杂质所带来的缺陷是零维缺陷种的一种，分为替位式杂质 和间隙式杂质 缺陷的分类 化合物半导体中的杂质 III-V族化合物：IIIA族元素硼、铝、镓等和VA族元素氮、磷、砷等组成的二元化合物，成分化学比都是1：1。结晶成闪锌矿型结构。例如，GaAs I、II族元素，一般在砷化镓中引入受主能级，起受主作用。 Ⅳ 族杂质在Ⅲ-Ⅴ族化合物中是两性掺杂剂： 取代Ⅲ族原子起施主作用；取代Ⅴ族原子则起受主作用。 导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增加，当硅杂质浓度增加到一定程度时趋于饱和。硅先取代Ga原子起施主作用，随着硅浓度的增加，硅取代As原子起受主作用。 GaAs电子浓度和硅杂质浓度的关系 III-V族化合物中的杂质 掺Ⅰ族元素 ，一般起受主作用。 Ⅱ族元素为受主杂质 铍、镁、锌、镉取代Ⅲ族原子而处于晶格格点上，引入浅受主能级 Ⅳ 族杂质在Ⅲ-Ⅴ族化合物中是两性掺杂剂 Ⅳ 族元素取代Ⅲ族原子则起施主作用； Ⅳ 族元素取代Ⅴ族原子则起受主作用。 Ⅵ族元素取代Ⅴ族原子，引入施主能级 Ⅵ族元素氧、硫、硒、碲比Ⅴ族元素多一个价电子而且容易失去，所以表现为施主杂质。 掺过渡族元素，制备高电阻率的半绝缘GaAs Ⅲ族的B、Al 取代Ga, Ⅴ族的P，锑取代As既不是施主也不是受主杂质。 等电子杂质 等电子杂质: 与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子 特征：a、与本征元素同族但不同原子序数.例：GaP(磷化镓)中掺入Ⅴ族的N或Bi b、以替位形式存在于晶体中，基本上是电中性。 等电子陷阱：等电子杂质（如N或Bi）占据本征原子位置（如GaP中的P位置）后，由于与本征原子序数不同,共价半径和电负性有差别, 存在着由核心力引起的短程作用力，它们可以吸引一个导带电子（空穴）而变成负（正）离子，前者就是电子陷阱，后者就是空穴陷阱。只有当掺入原子与基质晶体原子在电负性、共价半径方面具有较大差别时，才能形成等电子陷阱。 例如，在GaP中，V族杂质N 可取代P而成为束缚一个电子的陷阱，V族杂质Bi也可取代P而成为束缚一个空穴的陷阱，这种陷阱都称为等电子陷阱，相应的杂质都称为等电子杂质。 等电子杂质 一般，同族元素原子序数越小，电负性越大，共价半径越小。 等电子杂质电负性大于基质晶体原子电负性时，取代后，它便能俘获电子成为负电中心。反之，它能俘获空穴成为正电中心。 例如： N在GaP中：NP负电中心。N的共价半径和电负性分别为0.07nm和3