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填空题 1、陶瓷电容器可以分为：温度补偿型、半导体型、高介电常数型及型电容器。 2、纳米陶瓷的制备包括：纳米粉体、纳米薄膜和纳米块体材料的制备。 3、缺陷反应方程式的规则：质量关系——原子数平衡；位置关系——格点数成正确比例；电荷关系——电荷平衡。 4、半导体陶瓷电容器按其结构和工艺可分为三类：表面阻挡层型、表面还原－再氧化型、晶界层型。 5、磁性陶瓷按晶体结构及化学组成可分为：尖晶石型、石榴石型和磁铅石型。 6、半导体中的电子吸收光子能量后的跃迁形式有：本征吸收、激子吸收、自由载流子吸收、杂质吸收、晶格振动吸收。 7、湿敏半导体陶瓷按其工艺过程可分为：瓷粉膜型、烧结型和厚膜型。 8、居里区的相变扩张包括：热起伏相变扩张、应力起伏相变扩张、成分起伏相变扩张、结构起伏相变扩张。 8、陶瓷的缺陷种类有：瞬时缺陷、电子缺陷、点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷。 9、陶瓷的主要成型方法：可塑成型、注浆成型、压制成型。 名词解释 1、热释电效应：晶体受热温度升高，由于温度的变化而导致自发极化的变化，在晶体的一定方向上产生表面电荷的现象。 2、抗热震性：材料承受温度的急剧变化而抵抗破坏的能力。 3、迈斯纳效应：在超导状态，外加磁场不能进入超导体的内部，原来处在外磁场中的正常态样品，变成超导体后，也会把原来在体内的磁场完全排出去，保持体内磁感应强度B=0，超导体的这一性质被称为迈斯纳效应。 4、纳米