铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池产业发展与学术前沿(页)教程方案.pptxVIP

2017年3月28日 张坤 中南大学 · 冶金科学与工程学院 2017年3月28日 铜铟镓硒（硫）薄膜太阳电池产业发展与学术前沿 提 纲 铜铟镓硒硫薄膜太阳电池产业发展与学术前沿 1、CIGS太阳电池概述 2、 CIGS太阳电池产业现状 3、CIGS太阳电池发展方向及学术前沿 随着能源危机与环境污染的日趋严重，开发可再生清洁能源成为国际范围内的重大战略课题之一！ 太阳能是取之不尽、用之不竭，最清洁、最强大的可再生能源 太阳能将在未来的能源结构中占据主导地位 太阳能各种利用方式中，太阳电池发电发展最快、最具活力和最受瞩目 欧盟对未来能源结构的预测 1、CIGS太阳电池概述 铜铟镓硒硫薄膜太阳电池产业发展与学术前沿 太阳电池现状：已发展出三代 第一代晶硅太阳电池—包括单晶硅与多晶硅电池 优点: 技术成熟，转化效率较高，目前在工业生产和市场上占主导地位。 缺点: 需要消耗高纯的晶硅；成本高；原料制取的能耗高、污染重； 第二代薄膜太阳电池—包括a:Si、CdTe、CIGS和DSSC电池 优点: 耗材较少、易于柔性化制作。 不足: 研究较晚，许多基础问题不明、技术尚不成熟； 第三代薄膜太阳电池——如叠层、热光伏、量子点等电池 特点: 有前景，但大都停留在概念阶段、少有产品、实用性不明； CIGS薄膜太阳电池：用料少、效率高、稳定性好、易于柔性化和卷绕式生产，具有良好发展前景，成为研发热点。 在第二代薄膜太阳电池中转换效率最高（20.3%） 材料消耗少，一般1.5-2.5微米 比功率高， 柔性基底的可达1100W/kg以上 可制造柔性电池组件，易于以卷对卷连续化生产 发展非真空沉积法或全干法技术，可较大幅度降低成本 稳定性好，弱光性能好 使用寿命长，抗辐射能力强 柔性化，应用领域更为广泛 军用 民用 航空航天 CIGS太阳电池发展历程 1953年，合成CuInSe2 (CIS)单晶，1967年研究相图 1974年，Bell实验室制备出第一块单晶CIS/CdS电池，效率为5%；1975年达12% 1976年，Maine大学第一块薄膜CIS/CdS电池，效率6.6% 1981年，波音获得双层CIS/CdS薄膜电池，效率9.5% 1982年，CdxZn1-xS代替CdS获得效率＞10%，自此，人们开始重视CIS并开展大量研究 1981年 1982年 1985年，CdS厚度从3μm减至50nm，并引入低阻ZnO作为窗口层，增强短波响应，这一结构进一步发展成目前的经典结构 1988年，ARCO采用预制层硒化法获得14.1%效率 1980-1990年代，在CIS中掺Ga和S来改善性能；1989年，波音制备出效率为12.9%的CIGS电池 1990年代后，美国NREL实验室基于三步共蒸发法，获得17.7%-18.8%-19.2-19.9%效率，并一直保持世界纪录 2010年，德国ZSW基于蒸发法，超过NREL将效率提高至20.1%，此后又提高到20.3% ZSW器件制作室 NREL的CIGS吸收层 CIGS太阳电池结构 CIGS薄膜太阳电池由逐层沉积的背电极、吸收层、缓冲层、窗口层和顶电极构成 CIGS太阳电池结构 背电极Mo 背电极作用：对外输出电池功率 背电极选材要求： 与基底结合紧密，不易脱落 利于CIGS生长附着，并形成欧姆接触 良好的导电性 为什么选择Mo？ 曾采用Cu、Au、Al、Ni、Al、Mo、Pt 只有Ni和Mo不会与CIGS产生相互扩散 Mo较Ni在高温下更加稳定 Mo的制备方法 目前Mo主要采用直流磁控溅射制备 普遍采用双Mo工艺：溅射气压高,电阻率较高，会增加电池的串联电阻；溅射气压低，Mo层与薄膜的粘附性差，硒化时薄膜容易脱落 NREL采用的双层Mo工艺 吸收层CIGS CIS与CIGS的晶体结构 CIS有两种结构，即常温下的黄铜矿结构及高于870℃才存在的闪锌矿结构 CIGS是CuInSe2和CuGaSe2的无限固溶混晶半导体，都属于I-III-VI2族化合物，在室温下为黄铜矿结构，在晶体结构上体现为掺入的Ga取代了In的位置 CIGS结构 CIGS薄膜在太阳电池中的作用 最核心层，太阳电池PN结中的P型材料部分 吸收太阳光，产生光电流 CIGS薄膜光学性质 为直接带隙半导体，光吸收系数105cm-1 CIS禁带宽度1.02 eV，与1.45 eV相距甚远，需掺Ga来提高禁带宽度 随着掺Ga量增大，禁带宽度可在1.02-1.67 eV变化；当Ga/(In+Ga)约为0.3，即禁带宽度大概为1.15 eV时，电池可获得最高效率；Ga掺入量过多会导致电池电学性能的恶化，可掺S进一步提高带隙 黄铜矿结构带隙和晶格参数关系图 几种材料吸收系数与光子能量关系 CIGS薄膜电学性质：取决于化学计量组成 少子寿命: