数字集成电路第4章.ppt

数字集成电路第4章

第四章TTL电路 DTL电路原理 当输入A、B、C任意一个或一个以上为低电平(约0.3),P1为1V,晶体管T处于截止,输出为Vout=VCC。 当输入全为高电平(4V),T导通并达到饱和,输出电压Vout为低电平(约0.3V)。 RA、D1、 D2、 D3、组成输入部分,完成与功能 DTL电路原理 晶体管T和电阻RC构成输出部分,起着非逻辑的作用,并可放大电流、驱动负载。 D4、 D5、是抗干扰二极管和RB完成电平位移,以提高电路的抗干扰能力。 简易TTL电路原理 DTL电路中,把D换成NPN管,如图所示;多发射极晶体管T1取代了原来的二极管输入族, T1集电极取代了电平位移电路 当输入A、B、C任意一个或一个以上为低电平(约0.3),P点被嵌位1V,发射极导通,晶体管T1处于正向工作状态,深饱和状态;Q点为低电位(0.4v),不足导通,晶体管T2处于截止,输出为Vout=VCC。 简易TTL电路原理 当输入全为高电平时,晶体管T1反向工作, P点被嵌位1.4V,晶体管T1集电极电流为发射极电流+基极电流;适当选择R1 、R2可以使T2饱和,输出低电平 不仅实现了与非,而且有好的瞬态特性, T2饱和,输出低电平时,输入A、B、C任意一个或一个以上变为低电平时,基极电流转向发射极,因而产生集电极电流IB1β,这股瞬间的电流很快抽光T2基区存储的电荷,使T2截止,从而提高开关速

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