09 镀二铜.docVIP

九. 二次銅 9.1 製程目的 此製程或稱線路電鍍 (Pattern Plating),有別於全板電鍍(Panel Plating) 9.2 製作流程 　　目前二次銅作業幾乎都是以龍門式自動電鍍線為主,是垂直浸鍍方式,上下料則採手動或自動.設備的基本介紹後面會提及.另外值得一提的是為迎合build up新式製程,傳統垂直電鍍線無法達到一些規格如buried hole, throwing power等,因而有水平二次銅電鍍線的研發,屆時又將是一大革命.本章仍就傳統負片二次銅流程加以介紹: 　　銅面前處理→鍍銅→鍍錫(鉛) 9.2.0 Time table(時序圖): 　　 含鍍槽在內,二銅自動電鍍線所設計的槽數,少者2,30多者4,50,輸送掛架 的天車2~3部,因此必須由程式來控制各槽起落,停滯時間,再由天車執行各RACK流程順序等 一連串複雜的動作,電鍍時間甚至可控制為設定安培小時,如此各天車就有一時間路線圖稱之 Time Table.拜PLC的功能愈來愈進步所賜,利用電腦的人性化介面,在程式的設計上簡便又快速. 9.2.1 銅面前處理 　　 二銅製程之鍍銅前處理皆為In line process,所以都是化學處理方式.一般的流程為: 　　　 　　 脫脂→水洗→微蝕→水洗→酸浸→鍍銅→水洗… 　　 此前處理的重點在於如何將前一製程-外層線路製作-所可能流在板面上的氧化,指紋,輕微 scun等板面不潔加以處理,並予以表面的活化使鍍銅的附著力良好. 9.2.2 鍍銅 9.2.2.1電鍍基礎 A. 法拉第定律 　第一定律─在鍍液進行電鍍時,陰極上所沉積(deposit)的金屬量與所通過的電量成正比。 　第二定律─在不同鍍液中以相同的電量進行電鍍時，其各自附積出來的重量與其化學當量 成正比。 B. 電極電位 　　當金屬浸於其鹽類之溶液中時，其表面即發生金屬溶成離子或離子沉積成為金屬之置換可逆反應，直到某一電位下達到平衡。若在常溫常壓下以電解稀酸液時白金陰極表面之氫氣泡做為任意零值，將各種金屬對零值極連通做對比時，可找各種金屬對氫標準電極之電位來(NHE Standard Potential , Normal Hydrogen Electrode)。將金屬及其離子間之氧化或還原電位對NHE比較排列而成電化學次序(Electrochemieal Series)或電動次序(Electromotive Force Series)。 　　以還原觀點而言，比氫活潑的金屬冠以負值使其排列在氫的上位，如鋅為-0.762，表示鋅很容易氧化成離子，不容易沉積成金屬，理論上至少要外加0.762V以上才能將之鍍出。即： 　　　 Zn + 2 e → Zn, - 0.762 V 　　　　 　比氫不活潑者冠以正值，排在氫的下位，如銅之： 　　　　 　 　　Cu + 2 e → Cu, + 0.34 V 　　　　 　愈在下位者愈容易還原鍍出來，也就是說其金屬態在自然情況下較安定，反之在上位者則容易生銹了。 C. 過電壓(Overpotential)： 　在溶液中的帶電物體在平衡時會存在一定電位值，此電位值稱為平衡電位(E0)：當該物質產 生一反應〔不論化學（氧化還原）或物理反應（擴散）等〕時，都必須賦予額外能量，這種 能量在電化學的領域我們稱為給予的反應電壓叫作過電壓，其關係可以下式表示： 　　 η＝V(applied)-E° C-1 電鍍的過電壓： 　在電鍍過程中電壓主要表現分成下列三項： 　　η＝ηct+ηmt+IR----------------(1) 　　ηct：Charge transfer overpotential：電鍍反應的過電壓 　　ηmt：Mass transfer overpotential：質傳反應的過電壓 　　IR：溶液本身的電阻 　 對電路板而言孔與表面為等位面，因此ηs(surface)= ηh(Hole)，因此 　　ηs=ηh=ηsct+ηsmt+IRs=ηhct+ηhmt+IRh---------------(2) 　其中ηmt表示帶電離子藉Diffusion作用通過Diffusion layer所造成的電位差，其狀況可以下圖9.1 表示圖9.1顯示的意義為在距離(δ)之外的溶液，其金屬離子濃度可視為定值，其數值與整槽的平均濃度(C)相同。而在一定距離(δ)內，金屬離子濃度會逐漸下降，此一濃度下降的區稱為 Diffusion Layer，而δ值即為　Diffusion layer thickness；由於濃度梯度的存在(Concentration gradient)會消耗電能，此即為Mass tran