第1章半导体器件完整版.pptVIP

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  • 2016-08-24 发布于河南
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第1章半导体器件完整版

* 三、主要参数 前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的公共点,称为共射接法,相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数: 工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB,相应的集电极电流变化为?IC,则交流电流放大倍数为: 1. 电流放大倍数和 ? * 例:UCE=6V时:IB = 40 ?A, IC =1.5 mA; IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中,一般作近似处理:? = * 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流,受温度的变化影响。 * B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区,形成IBE。 根据放大关系,由于IBE的存在,必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO 3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大,当温度上升时,ICEO增加很快,所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 * 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降,当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时,三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压UCEO。

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