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上节课回顾 PN结的单向导电性 PN结的电流方程和伏安特性 半导体二极管的特性 特殊二极管 稳压二极管 二极管典型应用： 整流 限幅 1.3 半导体二极管(Diode) 1.3.1 结构类型和符号 1.3.2 伏安特性 1.3.3 主要参数 1.3.4 基本要求 1.3.5 典型应用 1.4 特殊二极管 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 1.3.1 结构类型和符号 　　二极管 = PN结 + 引线 + 管壳。 类型：点接触型、面接触型和平面型 (1) 点接触型— (a)点接触型 一、结构类型 (c)平面型 (3) 平面型— (2) 面接触型— (b)面接触型 二、符号 旧符号 新符号 阳极(Anode) 阴极(Cathode) 标记 D1 D2 Diode 1.3.2 伏安特性 IS :反向饱和电流 UT =kT/q :温度的电压当量 室温（T=300 K）下， UT=26 mV 一、理想二极管方程 理想二极管伏安特性曲线 ？定性 ——单向导电性 非线性 器件！ 实际D与理想D两点区别： 二、实际二极管伏安特性 1)正向(V0)存在死区电压 硅：VD(on)=0.5 V 锗：VD(on)=0.1 V 阈限　　 2)反向(V0)存在击穿电压 VBR(Breakdown) 雪崩击穿Avalanche 齐纳击穿Zener 理想 实际 1.3.3 主要参数 (1) （静态）直流电阻RD (2) （动态）交流电阻rd ? UD ID ? Q1? i u ?i ?u Q2? 二极管两端所加直流电压UD与流过它的直流电流ID之比： rd≈ 室温下 T=300K ≈ ?u/ ?i 二极管在其工作状态(IDQ,UDQ)处的电压微变量与电流微变量之比： 其他主要参数 (1) IF——最大整流电流 (2) VRM——最大反向工作电压 (3) IR—— 反向电流 硅 (nA)级；锗 (?A)级 (4) fM ——最高工作频率 1.3.4 特殊二极管 一、稳压二极管 （一）工作条件： （反向击穿区） 反偏电压+限流电阻 符号 问题： 正偏特性？ （二）主要参数 (1) VZ —— 稳定电压 (2) IZ ——稳定工作电流 IZmin ~IZmax (3)PZM ——最大耗散功率 取决于PN结的面积和散热等条件，超过则热击穿 PZM = VZ IZmax （三)稳压管电路设计 当Ui =Uimin, RL = RLmin时，IZ最小： 当Ui =Uimax, RL = RLmax时，IZ最大： Ui RL 限流电阻的取值范围为： 考虑 Ui在（Uimin，Uimax）内 IL在（ILmin，ILmax）内 确定 限流电阻 R 的取值范围 利用金属和N型半导体接触面的势垒特性制成，常用于高频或开关状态应用。 三、肖特基二极管　　　 二、变容二极管 利用势垒电容随反向电压增加而减小的特性制成，常用于高频电子线路。 图A 图B N 型 半导体 ( a ) 金属 ( b ) + + + + + + + + + + + + 图B 发射相干单色光的特殊发光二极管。主要用于小功率光电设备，如光驱、激光打印头等。 六、激光二极管 将电信号转换为光信号的器件，常用于显示，或做光纤传输中的光发射端。 五、发光二极管　　　 （LED） 四、光电二极管 将光信号转换为电信号的器件，常用于光的测量。 图A 触敏屏 (light-emitting diode) 1.3.5 典型应用与分析方法 二极管典型应用： （1）整流 （2）限幅 （3）逻辑（二极管逻辑） （4）显示器 稳压二极管典型应用：稳压 二极管电路分析方法？ 二极管电路分析方法 ——等效模型法（线性化） 一、二极管整流电路 V u i ＋ － u o ＋ － R L t u i 0 t u o 0 t u i 0 u t o 0 二、二极管限幅电路 V u i ＋ － u o ＋ － R E 2V t u i / V 0 5 -5 t u o / V 0 -5 2.7 V E 2V V1 u i ＋ － u o ＋ － R V2 t u i / V 0 5 -5 t u o / V 0 -1 0.7 －0.7 1 2V 2V Ｖｉ＞－２Ｖ D导通： Vo=－２Ｖ Ｖｉ＜－２Ｖ D截止： Ｖｏ＝Ｖｉ Ｖｉ＞２Ｖ　 Ｄ导通： Ｖｏ＝－２Ｖ＋Ｖｉ Ｖｉ＜２Ｖ　 Ｄ截止： Ｖｏ＝０Ｖ －２Ｖ Ｖｉ＞－２Ｖ Ｄ