2.1 双极型半导体三极管.pptVIP

2.1　双极型半导体三极管 三极管概述 半导体三极管常见外形 2.1.1 三极管的结构 2.1.2 三极管的工作原理 二、放大状态 二、饱和状态 三、截止状态 *小结 2.1.3 三极管的伏安特性 伏安特性应用举例 2.1.4 三极管的主要参数 *例 * 例 2.1　复习要点 作业： 解: (1) 某BJT的输出特性曲线如图所示，试求：（1）ICM 、PCM 、U（BR）CEO和UA值；（2）计算Q1(6V, 2mA)处的 。 UA称为厄尔利电压 解续: (2) 某BJT的输出特性曲线如图所示，试求：（1）ICM 、PCM 、U（BR）CEO和UA值；（2）计算Q1(6V, 2mA)处的 。 在Q1处， 3mA-2mA=1mA ，因此 * * * * * 2.1.1 三极管的结构 2.1.2 三极管的工作原理 2.1.3 三极管的伏安特性 2.1.4 三极管的主要参数 三极管概述 两种载流子（空穴和自由电子）参与导电。 通常简称为三极管、晶体管 或BJT（即 Bipolar Junction Transistor）。 依靠一种载流子（多子）导电。 依靠电场效应工作，故通常称为场效应管， 简称FET（即 Field Effect Transistor ）。 双极型三极管 单极型三极管 半导体三极管 E C B NPN 型 结构特点 发射区掺杂浓度很高 基区薄且掺杂浓度很低 集电结面积大 + E C B PNP 型 三极管由两个PN结构成。根据PN结偏置方式的不同，三极管有四种工作状态： 一、三极管的四种工作状态及其偏置条件 当发射结正偏、集电结反偏时，工作于放大状态； 当发射结和集电结均正偏时，工作于饱和状态； 当发射结和集电结均反偏时，工作于截止状态。 当发射结反偏、集电结正偏时，工作于倒置状态。 实际常用的工作状态为前三种。 1. 偏置条件： 发射结正偏、集电结反偏 共发射极放大电路 发射区向基区发射多子，其中极少部分在基区复合形成电流IBN ，而绝大部分被集电区收集形成电流 ICN 。 IB = IBN – ICBO ? IBN I C = ICN + ICBO ? ICN I C 和 IB由IE按一定比例分配得到。 2. 载流子运动规律与电流分配关系 穿透电流 IE = IC + IB 　 通常用 表示这种电流分配关系。 称为共发射极直流电流放大系数，反映三极管的电流放大能力。 二、放大状态 续 若VBB有增量ΔVBB ，则UBE变为（UBE＋ΔUBE）； I E变化 为（I E＋ΔIE）；根据分配比例， IB、IC分别变为（IB＋ΔIB） 和（IC＋ΔIC）。 定义： 3. 电流放大的原理 β称为共发射极交流电流放大系数 二、放大状态 续 其值通常在20~200之间，因此输出电流信号ΔIC远大于输入电流信号ΔIB ，三极管具有电流放大作用。 － 放大状态下， β ?β且 几乎为常数，一般不加区分。 集电结正偏不利于集电区收集电子，发射区扩散到基区的电子中将有较多的在基区复合形成IB，IC不像放大状态时那样按比例得到，将失去电流放大能力。 1. 偏置条件：发射结和集电结均正偏 2. 工作原理 二、饱和状态 续 饱和压降用UCES 表示，对NPN型硅管 UCES ? 0.3V C、E之间压降很小 等效为开关合上 三极管不具有放大作用 3. 工作特点 1. 偏置条件： 发射结和集电结均反偏 IB?0、IC ? 0 、IE ? 0 ， 三极管不具有放大作用， 集射极间等效为开关断开 2. 工作特点： 三极管主要作用：放大 实现放大的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄且 低掺杂，集电结面积较大。 外部条件：发射结正偏， 集电结反偏。 放大原理：发射区向基区发射多子，其中的极少部分在基区 复合形成电流IB，而绝大部分被集电区收集形成 电流IC，电流分配关系为IC ?βIB 。β很大，因此 当IB有微小的变化ΔIB 时， IC相应地就有较大的 变化ΔIC =βΔIB ，从而实现了电流放大作用。 三极管常用工作状态：放大、饱和、截止。 工作于哪种状态由发射结和集电结的偏置