shenA-8.ppt

NCP4303寄生电感补偿 能在电路板上或 使用线搭接(wire strap)提供补偿电感 SR MOSFET 门电压 次级电流 由于采用了专利的NCP4303寄生电感补偿技术，导电周期延至最长 NCP4303寄生电感补偿 采用寄生电感补偿时能效提高 已补偿 = 使用了寄生电感补偿；未补偿 = 未使用寄生电感补偿 12 V / 20 A LLC应用 MOSFET器件B在满载VDCin=350 V、未使用补偿时的波形 Ch1- Gate Q6 (DRV IC2) Ch2- Gate Q1 (DRV IC1) Ch3- Current in Drain Q6 Ch4- Current in Drain Q1 由于未补偿TO220封装寄生电感，驱动器在初期关闭。FET B由于导通阻抗更低、寄生电感有更大影响，情况更糟糕。 Ch1- Gate Q6 (DRV IC2) Ch2- Gate Q1 (DRV IC1) Ch3- Current in Drain Q6 Ch4- Current in Drain Q1 驱动器差不多在零电流时关闭 = 能效提升至最高。 MOSFET器件B在满载VDCin=350 V、使用了补偿时的波形 NCP4303触发器输入 两种潜在应用： 在轻载期间，同步整流的能效可能比传统整流方法低，因为MOSFET压降减小提供的导电损耗优势被开关损耗所抵消，开关频率在