磁阻传感器以及磁场测量
北航基础物理实验研究性报告各向异性磁阻传感器(AMR)与地磁场测量第一作者:卢 杨第二作者:刘士杰所在院系: 化学与环境学院2014年5月27日星期三摘要物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应,磁阻传感器利用磁阻效应制成。磁场的测量可利用电磁感应,霍耳效应,磁阻效应等各种效应。其中磁阻效应法发展最快,测量灵敏度最高。磁阻传感器可用于直接测量磁场或磁场变化,如弱磁场测量,地磁场测量,各种导航系统中的罗盘,计算机中的磁盘驱动器,各种磁卡机等等。也可通过磁场变化测量其它物理量,如利用磁阻效应已制成各种位移、角度、转速传感器,各种接近开关,隔离开关,广泛用于汽车,家电及各类需要自动检测与控制的领域。磁阻元件的发展经历了半导体磁阻(MR),各向异性磁阻(AMR),巨磁阻(GMR),庞磁阻(CMR)等阶段。本实验研究AMR的特性并利用它对磁场进行测量。关键词:磁阻传感器;磁电转换;赫姆霍兹线圈;车辆检测;罗盘一、实验目的熟悉和了解AMR的原理测量磁阻传感器的磁电转换特性和各向异性特性测量赫姆霍兹线圈的磁场分布测量地磁场磁场强度,磁倾角,磁偏角二、实验原理 各向异性磁阻传感器AMR(Anisotropic Magneto-Resistive sensors)由沉积在硅片上的坡莫合金(Ni80 Fe20)薄膜形成电阻。沉积时外加磁场,形成易磁
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