可靠性3-1.ppt

微电子器件可靠性 3 失效物理 3 失效物理 本次课内容 3.1 氧化层中的电荷 3.2 热载流子效应 3.3 栅氧击穿 3.4 电迁移 3.5 与铝有关的界面效应 3.6 热电效应 补充材料： 实例： Rcl 失效光点 氧化层漏电分析报告 热击穿 电击穿 PN结击穿特性 雪崩击穿 齐纳击穿 二次击穿等（图） 本次课要点 1、? 氧化层中有几种电荷？它们的分布和特性如何？对可靠性有何影响？如何降低它们的影响？ 2、? 什么热载流子效应？什么是电荷泵技术？热载流子的影响与改进？ 3、栅氧击穿有几种情况？它们的机理是什么？有何改进措施？ 4、什么是电迁移？影响电迁移的因素有哪些？抗电迁移措施？铝膜再构与应力迁移与电迁移有何异同？ 5、铝与硅，与二氧化硅有哪些反应？防止措施有哪些？金与铝有何反应？金铝键合有何缺点？ 6、什么是热阻？什么是二次击穿，如何改进？ Si-SiO2界面特性 SiO2内和Si-SiO2界面处存在四种界面电荷 ①可动离子电荷Qm,正电荷，如Na+、K+；1012-1015cm-2 ②氧化层固定电荷Qf，正电荷，如Si+、荷正电的氧空位；1011cm-2 ③界面陷阱电荷Qit，正或负电荷，快态，Si悬挂键；1011-1012cm-2 ④氧化层陷阱电荷Qot,正或负电荷。 界面电荷危害：在Si表面感应极性相反电荷，影响MOS器件理想特性，Y↓ R↓ 1 可动离