微电子器件第四章分析.pptxVIP

4.1 MOSFET 基础 4.1.1 MOSFET 的结构 第 4 章 绝缘栅场效应晶体管 P 型衬底 N 沟道 MOSFET 的剖面图 金属 绝缘层 半导体 基本的MOS电容结构 E E P 4.1.2 MOSFET 的工作原理 E P 加负电压 Ec Ei EF Ev E P 加正电压 Ec Ei EF Ev 空穴积累 空穴耗尽形成空间电荷区 E P 加正电压 Ec Ei EF Ev 形成反型区 E P 加正电压 Ec Ei EF Ev 空穴耗尽形成空间电荷区 E P 加负电压 定义：使栅下的硅表面处开始发生强反型时的栅电压称为阈电压（或 开启电压），记为 VT 。 定义：当硅表面处的少子浓度达到或超过体内的平衡多子浓度时，称为表面发生了 强反型 。 当 VGS VT（称为 阈电压 ）时， N+ 型的源区与漏区之间隔着 P 型区，且漏结反偏，故无漏极电流。当 VGS VT 时，栅下的 P 型硅表面发生 强反型 ，形成连通源、漏区的 N 型 沟道，在 VDS 作用下产生漏极电流 ID 。对于恒定的 VDS ，VGS 越大 ，沟道中的电子就越多，沟道电阻就越小，ID 就越大。 所以 MOSFET 是通过改变 VGS 来控制沟道的导电性，从而控制漏极电流 ID ，是一种电压控制型器件。 转移特性曲线：VDS 恒定时的 VGS ~ ID 曲线。MOSFET 的转移特性反映了栅源电压 VGS 对漏极电流 ID 的控制能力。 N 沟道 MOSFET 当 VT 0 时，称为 增强型 ，为 常关型 。 VT 0 时，称为 耗尽型 ，为 常开型 。 ID VGS VT 0 ID VGS VT 0 ① 线性区 VDS 很小时，沟道近似为一个阻值与 VDS 无关的 固定电阻，这时 ID 与 VDS 成线性关系，如图中的 OA 段所示。 输出特性曲线：VGS VT 且恒定时的 VDS ~ ID 曲线。可分为以下 4 段： 4.1.4 MOSFET 的输出特性 ② 过渡区 随着 VDS 增大，漏附近的沟道变薄，沟道电阻增大，曲线逐渐下弯。当 VDS 增大到 VDsat ( 饱和漏源电压 ) 时，漏端处的可动电子消失，这称为沟道被 夹断，如图中的 AB 段所示。 线性区与过渡区统称为 非饱和区，有时也统称为 线性区。 ③ 饱和区 当 VDS VDsat 后，沟道夹断点左移，漏附近只剩下耗尽区。这时 ID 几乎与 VDS 无关而保持常数 IDsat ，曲线为水平直线，如图中的 BC 段所示。 实际上 ID 随 VDS 的增大而略有增大，曲线略向上翘。 ④ 击穿区 当 VDS 继续增大到 BVDS 时，漏结发生雪崩击穿，或者漏源间发生穿通，ID 急剧增大，如图中的 CD 段所示。 将各曲线的夹断点用虚线连接起来，虚线左侧为非饱和区，虚线右侧为饱和区。 以 VGS 作为参变量，可得到不同 VGS 下的 VDS ~ ID 曲线族，这就是 MOSFET 的 输出特性曲线。 4 种类型 MOSFET 的特性曲线小结 4.2 MOSFET 的阈电压 定义：使栅下的硅表面处开始发生强反型时的栅电压称为阈电压（或 开启电压），记为 VT 。 定义：当硅表面处的少子浓度达到或超过体内的平衡多子浓度时，称为表面发生了 强反型 。 在推导阈电压的表达式时可近似地采用一维分析，即认为衬底表面下耗尽区及沟道内的空间电荷完全由栅极电压产生的纵向电场所决定，而与漏极电压产生的横向电场无关。 4.2.1 MOS 结构的阈电压 本小节推导 P 型衬底 MOS 结构的阈电压。 当金属、氧化层和P型硅未接触时的能带图 当金属、氧化层和P型硅接触时的能带图 1、金属与半导体间的功函数差 ?MS = 0 ，栅氧化层中的电荷面密度 QOX = 0，且VG = 0 时的能带图 上图中， ，称为 P 型衬底的费米势。 2、金属与半导体间的功函数差 ?MS 0 ，栅氧化层中的电荷面密度 QOX = 0，且VG = 0 时的能带图 上图中， 3、金属与半导体间的功函数差 ?MS = 0 ，栅氧化层中的电荷面密度 QOX 0，且VG = 0 时的能带图 上图