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第三章 MOS逻辑门电路 场效应管的英文缩写是FET 场效应管又称为单极型晶体管，三极管又称为双极型晶体管。（为什么三极管又叫做双极型三极管？答：因为载流子有电子和空穴两种载流子）所以，晶体管包括三极管和场效应管。 场效应管分为：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管 IGFET ，其中采用SiO2为绝缘层的绝缘栅型场效应管称为：金属—氧化物—半导体场效应管（MOS FET） 增强型N沟道MOS FET简称为（E-NMOS FET），有三个极：源极S、漏极D、栅极G E-NMOS FET的栅极不加电压时，由于P型衬底与两个N区形成两个背靠背的PN结，因此，不管漏极与源极之间外加电压的极性如何，总有一个PN结反偏，所以漏极与源极之间没有导电沟道，漏极电流。 MOS FET的输出特性是与之间的关系，输出特性曲线分成3个区：可变电阻区、恒流区（饱和区）、截止区（夹断区）。其中：可变电阻区与恒流区的分界线是： 时，此时，FET刚好处在预夹断状态，预夹断以后，FET工作在恒流区。 增强型N沟道场效应管电流从漏极D流入，源极S流出，增强型P沟道场效应管电流从源极S流入，从漏极D流出。 场效应管电路的分析要比三极管简单，因为：场效应管的漏极电流 源极电流。 根据场效应管的输出特性曲线，采用非线性电路的图解分析方法，我们得出：要使FET工作在可变电阻区，在漏极外接电阻和电源不变的情况下，只要增大栅极电压即可。另外，在不变、漏极外接电源不变的情况下，漏极外接电阻变大，也能够使得FET进入可变电阻区。 CMOS门电路的系列： 扇入系数：门电路输入端的个数，例如一个三输入端的与非门，其扇入系数为3。 扇出系数：门电路能够驱动同类型门电路的数目。 拉电流：当驱动门的输出端为高电平时，将有电流从驱动门流出 称为拉电流 而流入负载门，负载门的输入电流为，当负载门的个数增加时，总的拉电流将增加，会引起驱动门输出高电压的降低，但不得低于驱动门输出高电平的下限值，这就限制了负载门的个数。这样，输出为高电平时的扇出系数可表示如下： 灌电流：当驱动门的输出端为低电平时，从负载门流入驱动门的总电流（称为灌电流）将增加，同时也将引起驱动门输出低电压的升高。当输出为低电平，并且保证不超过输出低电平的上限值时，驱动门所能驱动同类门的个数由下式决定： 需要注意的是：传输门中的两个MOS FEI的源极并没有与衬底相连接。