vdd_vcc_vss_vee区别.docVIP

在电子电路中，常可以看到VCC、VDD和VSS三种不同的符号，它们有什么区别呢？ 一、解释 VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压； VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压； VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。 二、说明 1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常VccVdd），VSS是接地点。 2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。 3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。 说法一： VCC、VDD、VEE、VSS是指芯片、分解电路的电源集结点，具体接电源的极性需视器件材料而定。 VCC一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管C极，VEE是指连接到集成或分解电路内部三极管的E极。 同样，VDD、VSS就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的D和S极。 例如是采用P沟E/DMOS工艺制成的集成，那么它的VDD就应接电源的负，而VSS应接正电源。 它们是这样得名的： VCC表示连接到三极管集电极（C）的电源。 VEE表示连接到三极管发射极（E）的电源。 VDD表示连接到场效应管的漏极（D）的电源。 VSS表示连接到场效应管的源极（S）的电源。 通常VCC和VDD为电源正，而VEE和VSS为电源负或者地。 说法二： VDD,VCC,VSS,VEE,VPP区别 VDD:电源电压（单极器件）；电源电压（4000系列数字电 路）；漏极电压（场效应管） VCC：电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载波（Voice Controlled Carrier) VSS:地或电源负极 VEE：负电压供电；场效应管的源极（S） VPP：编程/擦除电压。================================================================================ 一直不太清楚VCC,VDD,VSS的区别，上网查了下 一、解释 VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压； VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压； VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。 二、说明 1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常VccVdd），VSS是接地点。 2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。 3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。 4、一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源另外一种解释：Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压.Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源. 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上.Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地.Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压.Vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路.Vcc, Vdd, Vss, etc.These notations are used in describing voltages at various common power supply terminals (at these points, only a wire lead exists between the point and a power source) of a given circuit. It turns out that these common voltage terms map to transistor technology as follows:BJT FET Vxx