湘潭大学2009单机原理与应用试卷.doc

湘潭大学2009年 下 学期2007级 《单片机原理及应用》课程考试试卷 （A卷） 适用年级专业 电子信息工程、建筑设施智能技术 考试方式（闭卷） 考试时间 120 分钟 学院 专业 班级 学号 姓名 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 阅卷 教师 得 分 ……………………………………………………………………………………………………………… 得 分 一、（每空1.5分，共15分） MCS-51单片机片_________，(PC)=_________。_____种寻址方式，其中，寄存器间接寻址指令如___________。 定时器T0的中断服务程序的入口地址是___________，外部中断的中断服务程序的入口地址为___________。__________，内部RAM区相对应位地址单元的字节单元地址是__________。 MCS-51单片机__________个时钟周期。 6．MCS-51单片机采用12MHz晶振，执行完一条单周期指令的执行时间是_______。(每空1分，共1分)、对于8051单片机来说， EA引脚总是（）A、接地B、C、D、用来（）A、存放指令B、存放正在执行的指令地址C、存放地址D、存放上一条的指令地址（）A、B、C、D、、单片机上电后或复位后，寄存器（）A、00HB、H C、0D、一个RM芯片的地址有A0----A1引脚，它的容量为（）A、KB B、KB C、1KB D、KB 6、8031单片机中既可位寻址又可字节寻址的单元是（）A、H B、30HC、H D、7H 7、801单片机中片内RAM共有（）字节A、128B、256C、4KD、64K、执行指令MOVX﹫DPTR，A时，WRRD脚的电平为（）、WR高电平，RD低电平B、WR低电平，RD高电平C、WR高电平，RD高电平D、WR低电平，RD低电平、INTEL 801的P，当使用外部存储器时它是一个（）A、传输高8位地址B、传输低8位地址C、传输8位数据D、传输低8位地址/数据总线、，（）A、B、C、D、、读程序题（本大题共4小题，每小题分，共2分）1写出下列指令的指令功能。DEC A PUSH 10H 2．设(21H)=71H, (22H)=11H, CY=1, 说明下列各条指令执行后的结果。 CLR C CLR 08H CPL 17H SETB 0FH 3．已知（SP）=H，执行下列指令后，内部RAM（）=______，（）=______，（SP）=____________。DPTR, #2346H PUSH DPH PUSH DPL INC DPTR 4．下列指令执行后，ANL P1， #31H XRL P1， #73H INC 80H 得 分 四、程序设计题（30分 每题10分） 1、设有十个二进制码存于单片机8051内部RAM区首地址为BLOCK的存储区，试编写程序，将该数据区数据按从小到大排序，并送到外部存储单元以BLOCK1为首地址的存储区中。 2．设有二个字节BCD码存于单片机8051内部RAM区首地址为BLOCK的存储区，试编写程序，将该数据区二进制码数据转换成ASCII码送到外部存储单元以BLOCK1为首地址的存储区中。 3.编写一个由P1.0口周期输出高低电平各2ms的方波信号程序，由定时器T0定时，工作在中断方式２，系统采用6MHz晶振。提示： TCON TF1 TR1 TF0 TR0 IE1 IT1 IE0 IT0 TMOD GATE C/T M1 M0 GATE C/T M1 M0 IE EA — ET2 ES ET1 EX1 ET0 EX0 得 分 五、硬件设计及程序设计（20分 每题10分） 1.假定DAC0832工作于单缓冲模式，数据输入寄存器地址为0FFFFH，其他引脚接合适电平，且输入寄存器数据从00H～0FFH变化输出从0～5V变化。试画出单缓冲接口方式电路编程输出线性的。 We will continue to improve the company's internal control system, and steady improvement in ability to manage and control, optimize