1.3三极管.pptVIP

[例3]　某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。 电流判断法。 　 电流的正方向和KCL。IE=IB+ IC A B C IA IB IC C为发射极 B为基极 A为集电极。 管型为NPN管。 管脚、管型的判断法也可采用万用表电阻法。 [解] [例4]课本 例1.3.2 在一个单管放大电路中，电源电压为30V， 已知三只管子的参数如下所示，请选用一 只管子并说明理由。 100 100 15 ? 20 50 50 UCEO/V 0.05 0.1 0.01 ICBO/μA T3 T2 T1 晶体管参数 例[5]：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、　U3=12V （2）U1=3V、　U2=2.8V、　U3=12V （3）U1=6V、　U2=11.3V、　U3=12V （4）U1=6V、　U2=11.8V、　U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 　　（1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 （2）U1 b、U2 e、U3 c NPN 锗 （3）U1 c、U2 b、U3 e PNP 硅 （4）U1 c、U2 b、U3 e PNP 锗 原则：先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于0.2-0.3V，为锗管。　　　　发射结正偏，集电结反偏。 　　　 NPN管　UBE＞0，　 UBC＜0，即UC ＞ UB ＞ UE 。 　　　 PNP管　UBE＜0，　 UBC＜0，即UC ＜ UB ＜ UE 。 解： 常用半导体器件 1.3.1 晶体管的结构及类型 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3　晶体三极管 1.3.4 晶体管的主要参数 1.3.5 温度对晶体管的影响 1.3.6 光电三极管 晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？ 它为什么可以用于放大？ 解决的问题： 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ 晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之为双极型晶体管（BJT）。 　又称半导体三极管、晶体三极管，或简称晶体管。 (Bipolar Junction Transistor) 三极管外形图 三极管分类 三极管 （按材料） 硅管 锗管 三极管 （按结构） PNP型管 NPN型管 三极管 （按工作 频率） 高频管 低频管 三极管 （按功率） 小功率管 大功率管 三极管 （按工艺） 合金管 平面管 半导体三极管的型号 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 3DG110B 1.3.1　晶体管的结构及类型 常用结构有硅平面管和锗合金管两种类型。 (a)平面型(NPN) (b)合金型(PNP) N e c N P b 二氧化硅 b e c P N P e 发射极 b基极 c 集电极 发射区 集电区 基区 基区 发射区 集电区 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 E C B E C B 小窍门 箭头P→N 三个极、三个区、两个PN结。 1.3.2　晶体管的电流放大作用 以 NPN 型三极管为例讨论 c N N P e b b e c 表面看 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 不具备 放大作用 三极管内部结构要求： N N P e b c N N N P P P 　　1. 发射区高掺杂。 　　2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 　　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。 3. 集电结面积大。 b e c Rc Rb 一、晶体管内部载流子的运动 I E IB 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 　　发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE (基