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1.6 场效应管（MOSFET） 金属-氧化物-半导体场效应管Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor 1.基本知识概述 2.分类、命名、标识、结构 3.基本特性 4. 应用 5.制程及工艺 1.1 MOSFET的基本知识 1.1.1概述 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。这种器件不仅兼有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点，而且还有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单,存在零温度系数工作点等优点，因而大大地扩展了它的应用范围，特别是在大规模和超大规模集成电路由于面积仅为双极型三极管的5％，因此得到了广泛的应用。 然而由于场效应管输入阻抗很高，栅极的感应电荷不易泻放，且二氧化硅绝缘层很薄，栅极与衬底间的等效电容很小感应产生的少量电荷即可形成很高的电压，容易击穿二氧化硅绝缘层而损坏管子。存放管子时应将栅极和源极短接在一起，避免栅极悬空。进行焊接时烙铁外壳应接地良好，防止因烙铁漏电而将管子击穿。 本文从场效应管的结构、特性出发，阐述其工作原理、应用。 2.1. 分类、命名、标识、结构 2.1.1按结构分，有两类 1. 结型JFET (Junction type Field Effect Transistor) 利用半导体内的电场效应进行工作，也称为体内场效应器件。 A:JFET概念图 B:JFET符号 门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。 2. 绝缘栅型IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transistor) 也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET） 根据Vgs＝0V时是否有导电沟道MOS管又分为： N沟道增强型 N沟道耗尽型 P沟道增强型 P沟道耗尽型 如图增强型MOS管 （N型及P型导电通道） 各种结构的FET均有门极、源极、漏极3个端子，将这些与双极性晶体管的各端子对应如下表所示。 根据JFET、MOSFET的通道部分的半导体是p型或是n型分别有p沟道元件，n沟道元件两种类型 n沟道型JFET与MOSFET结构图比较 FET 双极性晶体管 漏极 集电极 栅极 基极 源极 发射极 3.1.基本特性 首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区（可变电阻区）。VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。此区域称为饱和导通区（恒流区）。当VDS过大则进入击穿区。 其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)或Vp表示。n沟道JFET的情况，则VGS (off) 值为负,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难。因此实际应用中将达到ID =0.1～10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。 关于JFET为什么表示这样的特性，用图3.1.2作以下简单的说明。? 3.1.1 JFET的基本特性 JFET的工作原理用一句话说，就是漏极-源极间流经沟道的ID ，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压Vgs控制ID 。更正确地说，ID 流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。 在VGS =0的非饱和区域，图3.1.2(a)表示的耗尽层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID 流动。达到饱和区域后，从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着耗尽层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。 在耗尽层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个耗尽层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过耗尽层。如图3.1.2(b)所示的那样，即便再增加VD