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OLED的发光原理,发展历史及现状　　有机发光二极管 Organic Light-Emitting Diode，简称OLED 与 TFT-LCD“薄膜晶体管液晶显示器” Thin Film Transistor Liquid Crystal Display 是不同类型的产品。部分国外又称 OLED 为有机电激发光显示 Organic Electroluminesence Display, OELD 。 　　OLED具有自发光性、广视角、高对比、低耗电、高反应速率、全彩化、制程简单等优点，OLED显示器的种类可分单色、多彩及全彩等种类，而其中以全彩制作技术最为困难，OLED显示器依驱动方式的不同又可分为被动式 Passive Matrix，PMOLED 与主动式 active matrix，AMOLED 。 　　有机发光二极管可简单分为OLED organic light-emitting diodes 和聚合物发光二极管 polymer light-emitting diodes, PLED 两种类型，目前均已开发出成熟产品。PLED主要优势相对于OLED是其柔性大面积显示。但由于产品寿命问题，目前市面上的产品仍以OLED为主要应用。 　　OLED历史 　　OLED 技术的研究，起源于邓青云博士 Dr.Ching Wan Tang ，他出生于香港，于英属哥伦比亚大学得到化学理学士学位，于1975年在康奈尔大学获得物理化学博士学位。邓青云自1975年开始加入柯达公司Rochester实验室从事研究工作，在意外中发现OLED。1979年的一天晚上，他在回家的路上忽然想起有东西忘记在实验室，回到实验室后，他发现在黑暗中的一块做实验用的有机蓄电池在闪闪发光从而开始了对OLED的研究。到了1987年，同属柯达公司的汪根样博士和同事 Steven 成功地使用类似半导体 PN结的双层有机结构第一次作出了低电压、高效率的光发射器。 1987年的这项实作，为柯达公司生产 OLED 显示器奠定了基础。到了1990年，英国剑桥的实验室也成功研制出高分子有机发光原件。1992年剑桥成立的显示技术公司CDT Cambridge Display Technology ，这项发现使得 OLED 的研究走向了一条与柯达完全不同的研发之路。 　　OLED结构 　　OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物 ITO ，与电力之正极相连，再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了：电洞传输层 HTL 、发光层 EL 与电子传输层 ETL 。当电力供应至适当电压时，正极电洞与阴极电子便会在发光层中结合，产生光子，依其材料特性不同，产生红、绿和蓝 RGB 三原色，构成基本色彩。OLED的特性是自发光，不像 TFT LCD 需要背光，因此可视度和亮度均高，且无视角问题，其次是驱动电压低且省电效率高，加上反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低等，被视为 21世纪最具前途的产品之一。 　　OLED的驱动方式 　　不过，OLED 也与 LCD 一样其驱动方式也分为主动和被动式两种。被动式下依照定位发光点亮，类似邮差寄信，主动式则和 TFT LCD 相同在每一个 OLED 单元背增加一个薄膜晶体管，发光单元依照晶体管接到的指令点亮。简言之，主动/被动矩阵分法，主要指的是在显示器内打开或关闭像素的电子开关型式。 　　典型的OLED由阴极、电子传输层、发光层、电洞输运层和阳极组成。电子从阴极注入到电子输运层，同样，电洞由阳极注入进空穴输运层，它们在发光层重新结合而发出光子。与无机半导体不同，有机半导体 小分子和聚合物 没有能带，因此电荷载流子输运没有广延态。受激分子的能态是不连续的，电荷主要通过载流子在分子间的跃迁来输运。因此，在有机半导体中，载流子的移动能力比在硅、砷化镓、甚至无定型硅的无机半导体中要低几个数量级。 在实际的OLED中，有机半导体典型的载流子移动能力为10-3~10-6cm2/V。因为它太小，OLED器件就需要较高的工作电压。如一个发光强度为1000cd/m2的OLED，其工作电压约为7~8V。因为同样的原因，OLED受空间电荷限制，其注入的电流密度较高。 　　通过一厚度为d的薄膜的电流密度由下式定义： 　　J 9 / 8 e M V2/d3 式中e是電荷常數、M是載流子遷移率、V為薄膜兩端的電壓。 　　在一般的OLED中，全部有机膜的厚度约为1000囝 。实际上，OLED的发光功率与电流有J·Vm的关系，其中m 2。Burrows和Forrest制得的TPD/Alq器件的m高达9，他们认为，m值大是因为“阱” 或称极化子 的缘故。最近，他们又证实m具有很强的温度依赖性，并且电荷是通过“阱”来输运的。 在发光层中，掺杂客体萤光