第14章二极管和三极管知识点总结.docVIP

二极管： 概念 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。 半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。 本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。 P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。 N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。 PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。 二极管按材料分有硅管 Si管 和锗管 Ge管 ， 二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。其死区电压：Si管约0.5V，Ge管约为0.1 V 。其导通压降：Si管约0.7V，Ge管约为0.2 V 。这两组数也是判材料的依据。 10、稳压管是工作在反向击穿状态的： ①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，） ②加反向电压时截止，相当断开。 ③加反向电压并击穿（即满足U﹥UZ）时便稳压为UZ 。 二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。 三极管： 一、概念 三极管由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。 三个区：发射区——掺杂浓度很高，其作用是向基区发射电子。 基区——掺杂浓度很低，其作用是控制发射区发射的电子。 集电区——掺杂浓度较高，但面积最大，其作用是收集发射区发射的电子。 两个结：集电区——基区形成的PN结。叫集电结。（JC） 基区——发射区形成的PN结。叫发射结。（Je） 三个极：从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电极C（或用a、b、c） 对应的三个电流分别称基极电流IB、发射极电流IE、集电极电流IC 。并有：IE IB+ IC 三极管也有硅管和锗管，型号有NPN型和PNP型。 三极管的输入电压电流用UBE 、IB表示，输出电压电流用UCE 、IC表示。 即基极发射极间的电压为输入电压UBE，集电极发射间的电压为输出电压UCE。 三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β IC / IB 或IC β IB 和开关作用. 4、三极管的输入特性（指输入电压电流的关系特性 ）与二极管正向特性很相似，也有： 死区电压：硅管约为0.5V, 锗管约为0.1V 。 导通压降：硅管约为0.7V ,锗管约为0.2V 。（这两组数也是判材料的依据） 5、三极管的输出特性 指输出电压UCE与输出电流IC的关系特性 有三个区: ①饱和区: 特点是UCE﹤0.3V,无放大作用,C-E间相当闭合.其偏置条件JC, Je都正偏. ②截止区: 特点是UBE ≦0, IB 0, IC 0,无放大. C-E间相当断开..其偏置条件JC, Je都反偏. ③放大区: 特点是UBE大于死区电压, UCE﹥1V, IC β IB. 其偏置条件Je正偏JC反偏. 所以三极管有三种工作状态,即饱和状态 ,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态. 6、当输入信号Ii 很微弱时,三极管可用H参数模型代替 也叫微变电路等效电路 7、对放大电路的分析有估算法和图解法 估算法是：⑴先画出直流通路（方法是将电容开路，信号源短路，剩下的部分就是直流通路）， 求静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ 。 ⑵画交流通路，H参数小信号等效电路求电压放大倍数AU输入输出电阻RI和R0 。 图解法：是在输入回路求出IB后，在输入特性作直线，得到工作点Q，读出相应的IBQ、UBEQ 而在输出回路列电压方程在输出曲线作直线，得到工作点Q，读出相应的ICQ、UCEQ 加入待放大信号ui从输入输出特性曲线可观察输入输出波形，。若工作点Q点设得合适，（在放大区）则波形就不会发生失真。 8、失真有三种情况: ⑴截止失真：原因是IB、IC太小，Q点过低，使输出波形后半周（正半周）失真。消除办法是调小RB，以增大IB、IC，使Q点上移。 ⑵饱和失真：原因是IB、IC太大，Q点过高，使输出波形前半周（负半周）失真。消除办法是调大RB，以减小IB、IC，使Q点下移。 ⑶信号源US过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。