二极管及二极管电路.pptVIP

Chapter 1 Diode and Diode Circuits 1.1 PN Junction 1.2 Diode 1.3 Diode Circuits 1.1 PN Junction 1.1.1 Semiconductor and Its Conductivity Conductor(导体) Insulator(绝缘体) Semiconductor(半导体): n-type(n型)、p-type（p型） The conductivity of semiconductor is between that of conductor and insulator(半导体导电能力介于导体 和绝缘体之间) 1.1.2 PN Junction and Its Characteristics ? 1. PN Junction  在一块完整的晶片上,通过一定的掺杂工艺,一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体。  2. Characteristics  Biasing：给PN结两端外加电压 1) Forward Bias(正向偏置、简称正偏) The potential on p-region is higher than the potential on n-region（p区电位高于n区电位）。 2) Reverse Bias(反向偏置、简称反偏) The potential on p-region is lower than the potential on n-region（p区电位低于n区电位）。   When a pn junction is forward biased，it conducts；When a pn junction is reverse biased，it is off。（pn结正偏时导通, 反偏时截止。）   ? 1.2 Diode 1.2.1 I-V Characteristics  1. Forward-biased I-V Characteristics (正向伏安特性) ? 二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V,如图中OA(OA′)段。 当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V,如图中AB(A′B′)段。  二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。 2. Reverse-biased I-V Characteristics(反向伏安特性) 二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见图中OC（OC′）段。  1.2.2 Simple Testing on Diode 将万用表置于R×100或R×1k(Ω)挡（R×1挡电流太大,用R×10k(Ω)挡电压太高,都易损坏管子）。如图所示, 1.3 Diode Circuits 1.3.1 Rectifier 1. Half-Wave Rectifier(半波整流电路)  2．Bridge Rectifier(桥式整流电路) 1.3.2 Filter 其工作原理如下: 当u2的正半周开始时，若u2uC(电容两端电压)，整流二极管V因正向偏置而导通，电容C被充电：由于充电回路电阻很小，因而充电很快，uC和u2变化同步。当ωt=π/2时，u2达到峰值，C两端的电压也近似充至 u2值。 * 半导体二极管及其应用电路 第一章 二极管及二极管电路 1.1 PN结 Experiment on the conductivity of semiconductor diode 半导体二极管导电性能的实验 1.1.1 半导体及其导