2011第三章资料.ppt

由于载流子扩散运动比漂移运动慢得多，所以减小扩散分量的比例便可显著提高响应速度。但是提高反向偏压，加宽耗尽层，又会增加载流子漂移的渡越时间， 使响应速度减慢。 为了解决这一矛盾， 就需要改进PN结光电二极管的结构。 由于PN结耗尽层只有几微米，大部分入射光被中性区吸收， 因而光电转换效率低，响应速度慢。为改善器件的特性，在PN结中间设置一层掺杂浓度很低的本征半导体(称为 I )，这种结构便是常用的PIN光电二极管。  3.2.2 PIN型光电二极管 1、结构 I层：本征半导体层，电子浓度低 P层： P型半导体 N层： N型半导体 I层作用：增加了耗尽层宽度。提高响应速度。 I层很厚，吸收系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子-空穴对。因而大大调高了光电转换效率。 图3. 21 PIN光电二极管结构 2、工作原理 如果断开电路？ 则不会有电流 只有电势 当光从P区一侧入射，则光能量在被吸收的同时仍继续向 N区一侧延伸吸收，在经过耗尽层时，由于吸收光子能量，电子从价带被激励到导带而产生电子空穴对（即光生载流子），并且在耗尽层空间电场作用下，分别向N型区和P型区相互逆方向作漂移运动，并在外部电路形成光电流。 PIN 光电二极管工作原理 然而，在耗尽层以外的区域因为没有电场作用， 所以由光电效应产生的电子空穴对，在扩散运动中相遇发生复合，从而消失。 由于扩散运动与漂移运动相比是一慢过程， 因而由扩散运动产生的光电流不能快速响应输入光强的变化， 减少了光电二极管的频率响应。 式中， hf 为光子能量， e为电子电荷。  (3.13) (3.14) PIN光电二极管具有如下主要特性：  光电转换效率 光电转换效率用量子效率η或响应度ρ表示。量子效率η的定义为一次光生电子 -空穴对和入射光子数的比值 响应度的定义为一次光生电流IP和入射光功率P0的比值 在长途通信中，到达接收机的信号变的很微弱，如果采用PIN型二极管，将要采用多级放大，由于放大器在放大信号同时引入噪声，从而使接收机的信噪比下降，灵敏度也下降。 若能使信号在进入放大器之前现在光电二级管内部进行放大，就可以克服上述缺点，引出APD雪崩光电二极管 3.2.3 雪崩光电二极管 1、结构 在n与I之间加一个轻掺杂的P， 且两端外加反向偏压 （200V左右） 光电二极管输出电流 I和反偏压U的关系示于图 随着反向偏压的增加，开始 光电流基本保持不变。 当反向偏压增加到一定数值时， 光电流急剧增加，最后器件被 击穿，这个电压称击穿电压UB。 APD就是根据这种特性设计 的器件。  2、工作原理 工作原理和倍增过程 1、根据光电效应，当光入射到PN结时， 光子被吸收而产生电子 - 空穴对。 2、如果电压增加到使电场达到200 kV/cm以上，初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。 3、高速运动的电子和晶格原子相碰撞， 使晶格原子电离，产生新的电子 - 空穴对。 4、新产生的二次电子再次和原子碰撞。 如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增。 雪崩过程倍增了一次光生电流，因此，在雪崩光电二极管内部就产生了放大作用。雪崩光电二极管就是这样既可以检测光信号，又能放大光信号电流。 图 3.24 光电二极管输出电流I和反向偏压U的关系 APD的响应度比PIN增加了g倍。 对APD特性新引入的参数是倍增因子 倍增因子 倍增因子g(一次光生电流产生的平均增益的倍数)定义为APD输出光电流Io和一次光生电流IP的比值。 (3.25) 3.2.4 光电二极管一般性能和应用 表3.3和表3.4列出半导体光电二极管(PIN和APD)的一般性能。 APD是有增益的光电二极管，在光接收机灵敏度要求较高的场合，采用APD有利于延长系统的传输距离。 灵敏度要求不高的场合，一般采用PIN-PD。 -5~-15 -5~-15 工作电压 /V 1~2 0.5~1 结电容 Cj/pF 0.2~1 2~10 响应时间 2~5 0.1~1 暗电流 Id/nA 0.6(1.3 ) 0.4(0.85 ) 响应