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模电基本概念复习题 一、判断下列说法是否正确 凡是集成运算电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。√× 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有vN= vP。× 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。× 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。× 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。√√ 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。× 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。× 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。√√ 放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。× 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。× 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。× 共集电极电路没有电压和电流放大作用。√ 共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。√ 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。× 放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。× 射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。× 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。× 放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。× 在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共射放大电路的输入电阻最小。× 在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共基放大电路的输出电阻最小。× 阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。√ 放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。 × 场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件，是电流控制器件，沟道越宽电流越大。 × 在由耗尽型N沟道MOSFET管组成的放大电路中，若小于零，则iD＝0。× 若增强型N沟道MOS管的vGS大于开启电压VT，则输入电阻会明显变小。× N沟道JFET在正常工作时的vGS不能大于零。√ 耗尽型MOS管在栅源电压uGS为正或为负时均能实现压控电流的作用。√ √ 耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。× 增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流iD必为零。√ √ 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。√ 集成运放内部是直接耦合的多级放大电路。√ 镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。√ 共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，长尾电阻Re 一概可视为短路。 用电流源代替Re后电路的差模电压放大倍数增加。× 带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。 √VIO是两输入端电位之差。× 反馈量仅仅决定于输出量。√ 稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压串联负反馈。√ 若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。× 稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压并联负反馈。 × 任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。√ 反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。Au1，电路不可能有反馈。× 单管共射放大电路通过电阻引入负反馈有可能产生自激。× 负反馈能扩大放大电路的通频带，因此在负反馈电路中可以用低频管代替高频管。× 负反馈可以抑制一切干扰。× 在深度负反馈条件下，Af＝1÷F与原来的A无关，所以可以任选管子。× 在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。× 由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以微变等效电路已不再适用。√√ 输入信号越大，非线性失真也越大。交越失真属于非线性失真，因此，大信号时更为严重。× 乙类互补对称功率放大电路存在交越失真。√ 功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。 只有两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管时）才能组成复合管。× 复合管的类型取决于第一个管子的类型。√ 复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。√ RC桥式振荡电路只要R≤2R1就能产生自激振荡。 因为正反馈使放大器诸多的性能变坏，故在任何情况下放大器均不采用正反馈。× 在电压比较器中，其输出只有两种状态。√ 在电压比较器中，集成运放一直处于非线性工作状态。× 为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。√ 单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。× 只要在放大电路中引入反馈，就一定能使性能得到改善。× 放大电路的级数越多，引入的反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。× 一个理想对称的差分放大