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三极管三种状态微观理解 当VBE很小时或反向时，发射结不通，无电子从发射区到基区，三极管上无电流，三极管处于截止状态 VBE增大，发射结通，产生IB电子从从发射区到基区，需大于供，IB控制IC，三极管处于放大状态 VBE再增大，IB再增大，供大于需， IB再增大，IC不会在增大，IB对IC失控，三极管处于饱和状态 供 需 220K 2K 三极管三种状态电路中理解 发射结正偏，集电结反偏，三极管处于放大状态, IB控制IC， IC =βIB,三极管具有电流放大能力 Rb不断的调小，IB不断的增大，IC不断的增大，Vc不断的降低，降到比Vb低时，集电极正偏，三极管处于饱和状态。VCE硅管小于0.6V，锗管小于0.3v，C与E之间相当于开关闭合 发射结反偏或零偏，集电结反偏，三极管处于截止状态，三极管上的电流几乎为零， C与E之间相当于开关断开。 IB IC IE 三极管模拟电路中的应用三极管信号放大原理 ib iB IB vCE=VCC-iCRc 电容隔直流通交流 三极管输出特性曲线 vCE=VCC-iCRc 二元一次方程式画直线 直流的IB、IC和IE的值就是三极管放大电路的静态工作点 截止失真 饱和失真 P92 三极管处于放大状态，放大音频信号 三极管数字电路中的应用 低电平，三极管截止，三极管C和E之间相当于开关断开 高电平，三极管饱和，三极管C和E之间相当于开关闭合 低电平，三极管截止饱和，三极管C和E之间相当于开关闭合 高电平，三极管截止，三极管C和E之间相当于开关断开 NPN电路 PNP电路 P103 晶体管组成的水箱闭环电子控制系统电路图 分析：b点以下各元器件的工作状态 水位上升时，b到a点，各元器件的工作状态 水位到达a 点时，各元器件的工作状态 水位下降时，a点到b点，各元器件的工作状态 P104页555电路水箱闭环电子控制系统 电子控制技术 孝顺中学 傅华平 2012年会考题 正反馈 开环电子控制系统的组成方框图 闭环电子控制系统的组成方框图 多谐振荡器 + — + + 总 分 总 第一章 开环与闭环电子控制系统方框图 第二章传感器 开环的输入部分 或闭环的检测装置 第三章数字电路 控制（处理部分 第四章 继电器 输出部分 第五章 开环与闭环电子控制系统方框图具体电路的实现 附录 电子线路的元器件(电阻、电容、二极管、三极管、集成电路等）和安装检测工具 具体电路实现的基础 一、PN的形成及其PN结的单向导电性 二、二极管及其二极管的应用 三、三极管及其三极管的应用 四、集成电路及其集成电路的应用 预备知识 电位与电压的关系 联系：Vb-Ve=Vbe电位之差是电压 区别：电压是电路中两点之间的，电位是电 路中的某一点 电位参考点 一、PN的形成及其PN结的单向导电性 金属导体导电  半导体 1.携带电荷的粒子叫载流子，半导体中有两种：带正电的空穴和带负电的自由电子 2.纯净半导体也叫本征半导体，两种载流子都很少，所以导电性能不好。 硅和锗等 掺入三价元素（如硼）形成P型半导体 掺入五价元素（如磷）形成N型半导体 因为载流子的浓度差，引起载流子的扩散运动 P型半导体和N型半导体的交界处形成空间电荷区，即PN结 PN结的单向导电性 PN结正偏 PN结反偏 PN结正偏，PN结变窄，电流从P流到N PN结反偏，PN结变宽，几乎没有电流从N流到P 二、二极管及其二极管的应用 P区、N区引出两根电极，再加上外壳 V 阳极 （正极） 阴极 （负极） 负极 二极管正偏，处于导通状态 二极管反偏，处于截止状态 相当于开关闭合 相当于开关断开 二极管具有单向导电性 二极管的开关作用 5V 0V 相当于开关闭合 5V 相当于开关断开 二极管的伏安特性 硅二极管伏安特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 开启电压：0.5V 导通电压：0.7V 加在二极管两端电压VD与流过二极管电流ID的关系曲线称为伏安特性曲线。 锗二极管的伏安特性 Uon U(BR) 开启电压：0.2V 导通电压：0.3V 二极管是非线性器件 适应性考试17题图 提高三极管V2发射极电位，使它更可靠的截止 P103 晶体管组成的水箱闭环电子控制系统电路图 有点表示连接 阳极 工作电流3—20mA，导通压降一般1.6V以上 P99页运算放大器鸡蛋孵