FLZ系列可控硅使用说明书V2.0新.docVIP

NARI FLZ系列可控硅整流装置 使用说明书 V2.0 国电自动化研究院 南瑞电气控制公司 目 录 第一部分 前 言 2 一、概述： 2 二、型号及适用范围 3 三、使用条件 3 第二部分 设备原理 3 一、主回路原理 3 二、硅元件的保护 4 三、硅元件的参数选择 4 四、硅元件的散热 5 五、并联支路的均流措施 5 六、辅助控制回路 5 第三部分 设备安装 6 一、柜体的安装 6 二、交直流汇流铜排的安装 6 三、交直流电缆的安装 7 四、有关注意事项 7 第四部分 设备使用说明 7 一、FLZ-250型可控硅整流装置使用说明 7 二、FLZ-500（600）（/2）型可控硅整流装置使用说明 8 三、FLZ-1000（1000~2000）型可控硅整流装置使用说明 9 第五部分 设备维护 10 一、检修维护 10 二、日常维护的注意事项 11 第一部分 前 言 一、概述： FLZ系列可控硅整流装置是针对大中小型发电机组而分别设计的励磁系统产品。FLZ系列可控硅装置具有结构简单、适应面广、输出功率大、维护量小的优点，在各类型发电机组励磁系统中得到广泛的应用。 为了更加方便现场的维护，我们力求将FLZ系列标准化，使其更趋于简洁，运行更加可靠。 二、型号及适用范围 FLZ-250型：适用于三机励磁系统及两机一变励磁系统。 FLZ-500（600）型：适用于较小容量的自并励系统及相应容量的励磁系统。 FLZ-500（600）/2型：适用于较小容量的自并励系统及相应容量的励磁系统。 FLZ/M型：适用于较小容量的自并励系统及相应容量的励磁系统。 FLZ-1000（1000~2000）型：适用于大容量的自并励系统。 三、使用条件 周围空气温度不高于+40℃，不低于0℃。 海拔高度不超过2000米。 使用场所：空气清洁的室内。 设备安装时与垂直面的倾斜度不超过5%。 设备应安装在无剧烈震动和冲击的地方，以及不足使电器元件受到腐蚀的场所。 用户有特殊要求时可与制造厂协商解决。 第二部分 设备原理 一、主回路原理 可控硅整流柜的核心是三相可控硅整流桥。 当它工作时，通过控制可控硅元件SCR1～SCR6的控制角α,将有效值为u2的三相交流电压整流成不同的直流输出电压ud。对发电机而言，通过改变励磁电压值ud，达到改变励磁电流Id的目的。针对理想的电感负载RO，其对应关系为： ud=1.35×u2×cosα (0°≤α＜180°) a)对于自并激励磁系统，u2对应于励磁变压器付边电压，ud对应于发电机转子电压，Id对应于转 子电流。 b)对于两机系统或三机系统，u2来自励磁机或副励磁机机端，ud提供励磁机的励磁电压，Id对应于励磁机励磁电流。 触发角α的控制是通过励磁调节器输出与电压u2有一定时序关系的触发脉冲来实现的。触发脉冲有宽脉冲、双窄脉冲或脉冲阵列等形式，一般我们使用双窄脉冲的形式，按照一定的规律控制六只可控硅元件SCR1～SCR6，使它们按顺序导通，完成整流（0°＜α＜90°＝或逆变（α＞90°）功能，从而达到增加励磁电流或减少励磁电流的目的。 二、硅元件的保护 可控硅元件在使用中，会因为电流过大或承受的反压过大而损坏，所以要采取一定的措施来加以保护。防止因为过电流而损坏硅元件，一般采用快速熔断器，一般设计每一个可控硅元件桥臂中都串联一只快速熔断器，这主要是防止回路中直流侧有短路等情况后，电流急剧增加而损坏可控硅元件，或者因为某一个硅元件损坏而造成短路引起事故。为了达到保护硅元件的目的，快熔选配的熔断所需热容量一般要比可控硅元件过流损坏的热容量小，同时又要保证整流回路能提供足够的励磁电流。 可控硅元件关断时产生的关断过电压（又叫换相过电压）也需要加以保护。可控硅元件在承受反向电压关断时，由于电流的突变，会引起元件两端产生过电压，所以在回路中用阻容回路加以吸收。 在可控硅整流桥工作时，用示波器看电压u2的波形，会发现许多尖峰过电压，当u2值较高时，这些尖峰过电压值可能会很高，这对元件的长期使用会造成影响。这一部分的过电压一般也采用阻容回路加以吸收。如果交流侧电压u2还会遭受到诸如开关操作过电压等情况，还可以增加非线性电阻FR1～FR3来加以吸收，从而有效地保护可控硅元件。当然选择适当反压值的可控硅元件，对整流柜的长期稳定运行起着至关重要的作用。 三、硅元件的