课程设计-23-李增权详解.pptVIP

V掺杂ZnO块材样品的制备及表征 23-李增权 本次演讲主要讨论两个问题 一，最佳掺杂浓度 二，掺杂后出现铁电性的微观原理探索（口述） 研究背景 最近几十年来是电子半导体产业飞速发展的时期，在过去的近 40 多年里，半导体行业一直遵循着摩尔定律来发展，产品性能有了飞速的提升。 然而，在近 5 年以及以后几年里，随着物理尺度逼近极限，对工艺和技术的要求越来越高，面临功耗密度、漏电流、量子隧穿效应等等问题.于是出现了第三代半导体材料。 ZnO材料的研究现状  V掺杂 ZnO的研究  V（+5）离子半径为 0.59 nm，略小于 Zn（+2）离子的 0.74 nm，但相差不大，所以在 Zn O 中可以获得比较高的掺杂浓度。其相较于 Zn2+可以提供更多载流子，对电学性质可以起到一定的改善作用。同时，V 的 d 电子壳层容易与局域化的 O 2p 电子杂化，对磁性有很大的影响，而实验中也观察到 V 掺杂对光学性质的影响。 掺杂浓度的影响 当掺杂浓度低于 10%时，薄膜沿(001)方向外延生长， 而当掺杂浓度达到 10%时，XRD 图上(002)方向的峰消失了，而发现了新的 2θ = 30o 的(100)方向的峰， 而掺杂浓度继续增大到 13%时，薄膜就呈现非晶的结构了。 铁磁性 是由于 V 掺杂引起的晶格畸变导致的， 还有第二相或者 V 离子之间的相互作用的影响 铁电性 自发极化Ps 剩余极化Pr 矫顽电场Ec 从能带隙，电阻率，载流子浓度和载流子迁移率四个方面研究了样品的电学特性，均在4%浓度左右的样品中取得了最好的电学性质 在最近邻的 V 原子之间表现的是反铁磁的基态，随着原子间距的远离，铁磁态能量逐渐降低。可以看出，随着掺杂浓度和制备条件的不同，V 掺杂 Zn O 体系的确可以表现出各种可能的磁性态，而小的掺杂浓度可以表现出铁磁态，这跟实验结果是一致的。同年，Wang 等人计算了点缺陷空位其对磁性的影响，从图 1-10 的态密度图中可以看出，V 掺杂的确对电学性质有所改善，表现出 n 型的半金属特性。而氧空位的引入几乎对体系的磁性没有影响或有小幅的增强，而锌空位的引入却展宽了费米能级处 V 离子的峰，并降低了其强度。其直接后果就是导致整个体系的磁性由 2Bm 将至 0.74Bm ，并且形成能计算说明锌空位会很容易形成，所以试验制备时应该在富锌条件下进行。 * Zn O 便是第三代半导体材料中最具有代表性的一种材料。Zn O 是具有直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物，在自然界有四种基本的晶体结构：纤锌矿结构、闪锌矿结构、岩盐结构和 CsCl 结构。大约是 9.6 GPa 时向岩盐结构转变，近邻的原子数从 4 变为 6，体积对应减小了 17%。当外界压强增大200 GPa 时，向CsCl 相转变 纤锌矿结构 V等过渡金属掺杂，在一定的制备条件下可以得到居里温度高于室温的铁磁性半导体. 但是，在最近的研究中发现，过渡金属掺杂存在磁性离子团簇，环境污染等等不可预知的问题，因此非磁性金属掺杂 Zn O的磁性（即 d0铁磁性）研究也逐渐成为焦点。 研究中发现，其实大多数情况中，缺陷（空位，间隙位等）的形成才是引起磁性或增强磁性的关键，并且有可能导致 p 型导电，同时对光学性质也有一定的影响。 *