硅硼碳氮介绍详解.pptVIP

Si-C-N陶瓷以其高强度、高模量、高硬度、低密度、低热膨胀系数，以及优良的热冲击、抗氧化和抗化学腐蚀性能，在信息、电子、航空、航天和军事等领域获得了广泛的应用。 聚硅氮烷是一类分子主链由硅、氮原子交替排列组成的聚合物，可作为Si-C-N陶瓷的前驱体，用于制造Si-C-N陶瓷纤维、薄膜、纳米粉和块材料。 聚硅氮烷的合成 合成Si-C-N陶瓷前驱体聚硅氮烷的主要方法 氨／胺解氯硅烷法----合成聚硅氮烷最基本的方法 硅氮烷低聚物交联法 硅氯烷低聚物与氯硅烷反应法 氯硅氟烷和氯硅烷脱氯缩聚法 氨／胺解氯硅烷法 氯硅烷氨解合成聚硅氮烷 采用甲基三氯硅烷和二甲基二氯硅烷、二苯基二氯硅烷在低温下共氨解，得到无色透明的玻璃体，并可熔融纺丝，用于制备Si-C-N陶瓷纤维。裂解即可得Si-C-N，合成反应时如下： 氨／胺解氯硅烷法 氯硅烷胺解合成聚硅氮烷 用甲胺胺解甲基三氯硅烷，所得甲基三甲氨基硅烷在高温下能发生缩合反应，并进行重排，得到陶瓷前驱体碳硅氮烷。 硅氮烷低聚物缩合交联制聚硅氮烷 将甲基三氯硅烷和二甲基二氯硅烷氨解所得的低聚物热处理，便会发生缩合反应，放出氨气，得到可纺丝、可裂解的聚硅氮烷固体。 聚硅氮烷作为重要的陶瓷聚合物前驱体，不足之处是热解形成的Si3N4陶瓷基体在1400℃左右开始结晶，致使材料变脆，体系中存在的游离碳也会加速其在1480℃左右的分解反应。引入少量硼、铝等第三主族元素及钛、锆、铬等过渡金属元素，可以显著地提高热解产物的耐高温性能。 聚硼硅氮烷前驱体热解可以得到SiBCN复相陶瓷，由于硼的引入，在陶瓷转化过程中形成BN/B4C相，BN/B4C相本身具有很好的耐高温性能. 聚硼硅氮烷前驱体的合成 中国科学院化学研究所通过BCl3和全氢聚硅氮烷(PttPS)反应，再于低温下氨解的方击合成出一系列不同B／Si比例的聚硼硅氮烷.,1000℃下 分解为Si-B-N。 聚硼硅氮烷前驱体的合成 国防科大 唐群 王军等以甲基氢二氯硅烷(CH3HSiCl2)、三氯化硼、六甲基二硅氮烷[(CH3)3SiNHSi(CH3)3，HMDZ]为起始原料，采用共缩合的方法合成了一种新型的SiBNC陶瓷先驱体——聚硼硅氮烷(PBSZ) 先驱体的主要骨架为-Si-N-B-，其中，B，N以硼氮六环形式存在，而C则以Si-CH3形式存在．该先驱体熔点为69℃，此外，所合成的先驱体具有优良的成型性，在80℃的N2气氛中可纺丝得到15～20 微米的有机纤维，它能够在1700℃以上保持非晶，在1850℃部分结晶，主要由Si3N4、BN和少量SiC组成。 裂解后得到的Si-B-C-N纤维其室温抗拉强度为2.1 GPa，弹性模量为230 GPa（不是很高，结晶取向越高，强度越高），具有很好的非晶稳定性和高温抗氧化性 。 国防科大学者以聚硼硅氮烷为先驱体 ，经熔融纺丝、不熔化处理以及在氨气气氛中高温裂解制备了Si-B-N陶瓷纤维 。 其组成为Si (1.13)BN (2.47),室温下纤维的抗拉强度为1.8 GPa,弹性模量为196 GPa。 介电性能：室温下,在测试频率为2～18 GHz时,其平均介电常数和介电损耗角正切值分别为3.68和0.0042。 东华大学余木火等学者成功的制备了Si-B-N纤维。 制备过程如下： 西北工业大学孔杰-张国彬等人对聚硼硅氮烷的合成也进行了研究。并成功制备了Si-B-C-N陶瓷。合成过程如下： 结语 SiBN以及SiBCN这两类材料由于其出色的高温热稳定性、抗氧化性以及抗蠕变性能，是未来高温陶瓷材料的发展趋势。 * * Si-B-C-N纤维 12微米 CH3NH2甲胺 逐滴， 搅拌 SiCl4的甲苯溶液（-78℃） 升温至室温-过量甲胺 有机胺的盐酸盐+ (CH3NH)4Si甲苯溶液 (CH3NH)4Si甲苯溶液 BCl3的甲苯溶液 逐滴， 搅拌 CH3NH2甲胺溶液（-78℃） 升温至室温-过量甲胺 CH3NH3Cl甲胺溶液+ (CH3NH)3B甲苯溶液 (CH3NH)3B甲苯溶液 150℃干燥，并保温40h并持续搅拌 熔融纺丝设备 纤维 NH3，加热25-300℃ 800℃，2h 1600℃，2h，N2 Si-B-N纤维 50 30 未裂解 裂解后 裂解后 未裂解 纤维SEM形貌图 山东大学李建权，张玉军等以水为溶剂，以硼酸和正硅酸甲酯为主要原料，合成SiBO前驱体凝胶，通过1200-1600℃高温氮化、粉磨工艺制备出SiBON纳米粉体, SiBON纳米粉体含有部分晶态Si02和BN，其余为非晶态，且粉体结构含有B-N B-0、B-0-B、0-Si-0、B-N-Si等键，并含有少量的Si-0-Si键。 武汉理工大学张伟儒，王重海采用气氛压力烧结工艺N2保护下 压力8MPa 于1