12过程检测技术及仪表--压力测量绪论.pptVIP

膜片压力表 工作原理与膜盒压力表相近，测量准确度也差不多，但膜片压力表的可测压力范围较宽，最高可达2.5MPa。 另外，作为弹性元件的膜片常常和其他转换元件一起使用构成电远传式压力仪表。 其它弹性式压力表 3. 6 电气式压力检测 应变效应：当电阻体受外力作用时，电阻体的长度、截面积或电阻率会发生变化，即其阻值也会发生变化。这种因尺寸变化引起阻值变化称为应变效应。 应变片多以金属材料为主，一般和弹性元件一起使用。如左图，r1和r2为应变片。 r1 r2 1 2 3 P a 传感器 1－外壳 2－弹性筒 3－膜片 3.6.1 应变片式压力计 应变筒的上端与外壳固定在一起，下端与不锈钢密封膜片3紧密接触，应变片r1和r2用胶合剂贴紧在应变筒的外壁，与筒体之间不发生相对滑动。 r1沿应变筒轴向贴放，作为测量片；r2沿径向贴放，作为温度补偿片。 图中应变片r1、r2的静态性能完全相同。当膜片受到外力作用时，弹性筒轴向受压，使应变片r1产生轴向应变，阻值变小；而应变片r2受到轴向压缩，引起径向拉伸，阻值变大。实际上，r2的变化量比r1的变化量要小，r2的主要作用是温度补偿。 左图是应变片阻值变化量的测量电桥，图中R3和R4是两个阻值相等的精密固定电阻。 Ui E － ＋ ＋ － r1 r2 R3 R4 A B b 测量电桥 不受压时： r1 r2 r0 R3 R4 r 若应变片受压，则：r1 r0+Δr1；r2 r0+Δr2 Δr1≠Δr2 由此可见： 由压力作用时，r1和r2一减一增，使电桥有较大的输出； 当环境温度发生变化时，r1、r2同时增减，不影响电桥的平衡。 如果仪表能把电桥输出电压Ui进一步转换为标准信号输出，则该仪表即可称为应变式压力变送器。 结论： 应变片式压检测仪表具有较大的测量范围，被测压力可达几百Mpa； 具有良好的动态性能，适用于快速变化的压力测量； 但是，尽管测量电桥具有一定的温度补偿的作用，应变片式压力检测仪表仍有比较明显的温漂和时漂，因此，这种压力检测仪表较多地用于一般要求的动态压力检测，测量精度一般在0.5～1.0％左右。 3.6.2 霍尔压力变送器（YSH型） Z方向，有恒定的非均匀的磁场B Y方向，有恒定的电流I通过 由于受电磁力的作用，电子运动的轨迹发生偏移，造成霍尔片的一个端面电子积累，另一端面正电荷过剩，这样在X方向上形成一个电位差（VH），这一电位差称为霍尔电势。这一物理现象称为“霍尔效应”。 Z Y X 测量原理： 压力变化——位移变化——霍尔电势VH变化 导体的霍尔效应比半导体小得多，因而霍尔片用半导体做比较多。 霍尔片与弹簧管自由端连在一起，压力变化，弹簧管自由端产生位移，霍尔片在非均匀磁场中的位置改变（相当于B会改变），进而VH改变。这样就实现了把压力转变成位移再转变成VH的变化。 霍尔电势： VH RH×B×I VH：霍尔电势，大小约几十mV ； RH：霍尔常数，单位：mV/mA 千高斯 ； I： 控制电流（通过霍尔片的电流），大小约3-20mA； B： 垂直作用于霍尔片的磁感应强度，一般为几千高斯； 3.6.3 压阻式（扩散硅）压力/差压变送器 因电阻率变化引起阻值变化称为压阻效应。 压阻元件是指在半导体材料的基片上用集成电路工艺制成的扩散电阻。 与应变片一样，扩散电阻正常工作需依附于弹性元件，常用的是单晶硅膜片。 构成框图： 扩散硅压阻传感器 前置 放大器 调零电路 V－I转换 △P US U01 UZ IO 检测部分 电磁放大部分 整机电路图 － + 供参考 p2 p1 硅杯 图3-30 压阻式传感器示意图 正压侧隔离膜片 引出线 负压侧隔离膜片 硅油 测量部分——扩散硅压阻传感器 -----把被测差压ΔP成比例地转换为不平衡电压US 1.负压室 2.正压室 3.硅杯 4.引线 5.硅片 Ri1 Ri2 Ri3 Ri4 测量部分——惠斯顿电桥 Ri1 Ri2 Ri3 Ri4 US Ri1 Ri2 Ri3 Ri4 IS 不受压时：Ri1＝Ri2＝Ri3＝Ri4＝R 测量部分——电压转换 ＋ US － Ri1 Ri2 Ri3 Ri4 IS 受压时：△Ri1＝△Ri4＝r1 △Ri2＝△Ri3＝r2 受压时，流经2桥臂的电流始终相等 结论： 1、压阻式压力传感器主要优点是体积小，结构简单。 2、扩散电阻的灵敏系数是金属应变片的几十倍，能直接测量出微小的压力变化。 3、压阻式压力传感器还具有良好的动态响应，迟滞小，可用来测量几千赫兹乃至更高的脉动压力。 4、压阻式压力传感器是一种发展比较迅速，应用十分广泛的一类压力传感器。 5、这种传感器的缺点则是扩散电阻存在温度效应，容易受环境温度的影响，有些厂家在传感器组件中提供了若干校正用