2015电力电子1—器件精选.ppt

2.1.4 IPM 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——功率器件的分类 END! UC3842/3/4/5系列 PWM控制芯片 TL494 PWM控制芯片 备选论文题目 LM2576 PWM控制芯片 非晶、微晶合金软磁材料的特性以及应用 常模、共模干扰抑止——常模、共模扼流圈 常用过流、过压保护的措施、电路和元件 TNY25×系列 单片开关电源芯片 TOP24×系列 单片开关电源芯片 PWM发生电路 HEF4752 SPWM发生电路 SA8×系列 DSP中的PWM发生器 备选论文题目 DPA×系列 单片开关电源芯片 移相控制芯片UC3875 谐振控制芯片 MC34066/MC33066 ZVS控制芯片 UC3861~UC3864 ZCS控制芯片 UC3865~UC3868 由模拟电路构成的PID控制器以及参数计算 单片机在电源中的应用以及全数字开关电源可行性讨论 备选论文题目 高频感应加热简介 逆变焊接电源简介 电子镇流器简介 应用于变频空调上的“直流变频”技术 直流稳压电源并联均流及实现. UPS电源系统并联技术分析 备选论文题目 微功率AC/DC和DC/DC模块简介 电镀电源简介 有源功率因数校正技术芯片UC3854的应用 高频通信电源系统简介 常用电力无功补偿方法简介 备选论文题目 UPS系统监控与网络化管理技术 变频家电简介 太阳能发电系统及电力电子技术在其中的应用 风能发电系统及电力电子技术在其中的应用 电梯系统中的能馈技术 异步电动机的控制技术 通用变频器简介 高压变频器简介 备选论文题目 电动汽车中的电力电子技术 电力操作电源简介 矩阵变换器简介 风光互补路灯系统以及电力电子技术在其中的应用 永磁同步电机的控制技术 直流无刷电机的控制技术 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——驱动电路的隔离 驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离 ?光隔离一般采用光耦合器 ??磁隔离的元件通常是脉冲变压器 光耦合器的类型及接法 a 普通型 b 高速型 c 高传输比型 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——电流型和电压型驱动 电流驱动型和电压驱动型 具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用 专用集成驱动电路 双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——电压型驱动 2. 电压驱动型器件的驱动电路 栅源间、栅射间有数千皮法的电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取 -5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗 在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTR的集成驱动电路 ★ EXB356：150A/600V；IBP +3A/-3.4A、 IIN 3~9mA EXB356 富士 · 日 UAA4002 汤姆逊 · 法 M57950 三菱 · 日 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTR的限制 驱动电流大 二次击穿 开关速度低 2.1.3 功率场效应管 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——FET的分类 ★ 因工艺和结构差异名称不同。如： Motorola TMOS NEC VDMOS Siemens SiPMOS 结 型 JFET MOS型 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 Power MOSFET 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——FET的分类 小功率MOS管是横向导电器件 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为 VMOSFET（Vertical MOSFET）——大大提高了 MOSFET器件的耐压和耐电流能力 按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂 直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MO 结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET） 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——MOSFET的结构特点 ★ 胞元并联结RDS小， 可达mΩ。 ★ 垂直导电VD，面积 大，电流大； ★ 沟道短D-S间U、R、 C均小； 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——MOSFET的结构特点 导通时只有一种极