半体特性及二极管题材.pptVIP

半导体基本知识一、半导体的共价键结构1.硅元素的简化原子模型 2.半导体的共价键结构 2.半导体的共价键结构 二、本征半导体中的空穴及导电作用 二、本征半导体中的空穴及导电作用 二、本征半导体中的空穴及导电作用 二、本征半导体中的空穴及导电作用 三、杂质半导体 1、P型半导体 1、P型半导体 2、N型半导体 2、N型半导体 PN结的形成及特性一、PN结的形成 二、PN结的单向导电1、PN结的正向连接 2、PN结的反向连接 过度页 PN结单向导电总结 三、PN结的V-I特性曲线和表达式PN结的V-I正向特性曲线 PN结的V-I反向特性曲线 PN结的V-I关系表达式 四、PN结的反向击穿 半导体二极管一、半导体二极管的结构 半导体二极管外型图 二、半导体二极管的伏安特性曲线 三、半导体二极管的几个主要参数简介1.最大整流电流IF2.反向击穿电压VBR3.反向电流IR 过度 4.极间电容 考虑极间电容的等效电路 二极管基本电路及其分析方法一、半导体二极管正向V-I特性建模1.理想模型 2.恒压降模型 3.折线模型 4.小信号模型 特殊二极管一.稳压二极管稳压二极管实物图 稳压二极管的稳压原理 稳压二极管使用注意事项 二.变容二极管 三.发光二极管 一、半导体二极管的结构 半导体二极管 二、半导体二极管的符号和伏安特性曲线 三、半导体二极管的几个主要参数简介 考虑了极间电容后,二极管的等效电路如右图所示。 继续 本页完 r C PN 结电阻,正向偏置时为正向电阻,反向偏置时为反向电阻。 PN结的极间电容 很显然, 若C较大而电路的工作频率又较高,由电容器的特性知 二极管将失去单向导电性的功能。 二极管的其它参数可返回学习主页后进入《二极管的参数》部分浏览。 单击返回,返回学习主页，单击继续,继续往下学习。 继续 返回 2.反向击穿电压VBR 1.最大整流电流 IFM 3.反向电流IR(sat) 4.最高工作频率fM 一、半导体二极管正向V-I特性建模 二极管基本电路及其分析方法 1.理想模型 二极管处于 正向 偏置 而导通时其压降为0,可认为二极管处于短接状态； 二极管处于反向偏置时电阻为无穷大, 电流为0,可认为二极管处于断路状态。 继续 本页完 正向导通时的理想模型 － ＶD=0 + － P N + － P N － + + 反向截止时的理想模型 当电源电压远大于二极管的管压降(一般是0.7V左右)时,可使用理想模型分析电路。 一、半导体二极管正向V-I特性建模 二极管基本电路及其分析方法 2.恒压降模型 当二极管处于正向偏置后,可认为管压降为一恒量(通常取值为0.7V)。 恒压降模型： 一个理想二极管串接一个0.7 V的电源。 － + － P N + iD 0.7V 0.7V 继续 本页完 恒压降模型伏安特性曲线 一般当二极管的正向电流IF≥1mA时可使用本模型。 1.理想模型 I(mA) U(V) 二极管的伏安特性 (?A) 0 -4 -2 -5 -10 5 10 15 20 25 0.2 0.4 0.6 0.8 一、半导体二极管正向V-I特性建模 二极管基本电路及其分析方法 当二极管处于正向偏置后, 二极管两端的电压随通过二极管的电流的变化而作线性变化 3.折线模型 rD 继续 本页完 二极管实际伏安特性曲线 折线模型伏安特性曲线 iD 0.5V － + － P N + iD 2.恒压降模型 1.理想模型 折线模型： 一个理想二极管串接一个0.5 V的电源和一个相当于二极管正向偏置时的电阻rD。 I(mA) U(V) 二极管的伏安特性 (?A) 0 -4 -2 -5 -10 5 10 15 20 25 0.2 0.4 0.6 0.8 Vth?0.6V(Si) Vth?0.1V(Ge) Vth 一、半导体二极管正向V-I特性建模 二极管基本电路及其分析方法 当二极管工作在小信号范围内时,由伏安特性曲线可知 , 其工作范围可看成是一条直线 当二极管工作在小信号状态时可用此法求出其正向导通时的交流电阻。 继续 本页完 此时二极管的正向电阻rD(亦称交流电阻)可用直角三角形求出。 4.小信号模型 ? vD ? iD 小信号交流电阻rD=?vD / ?iD － + － P N + iD 沿工作点作一切线 单击资料，可观看二极管交直流电阻图解；单击返回,返回学习主页，单击继续,继续往下学习。 继续 返回 资料 3.