第五章 发光器件与光控器件.pptVIP

因为晶体是各向异性的，在不同方向有不同的光学性质，所以要用二阶电光张量rij来描述。但可以证明，对于泡克耳斯盒中的晶体，因电感应产生出来的两种新偏振光（平行于OG的和垂直于OG的），只用r63一个量就够了。这两种偏振光，经过厚度为l的晶体所产生的相位差为 式中， ——晶体对于o光的折射率； r63——电光系数，单位为m/V； U——外加电压； λ——光在真空中的波长。 * 对泡克耳斯盒，半波电压为 此时， ， ，Q的光输出最大。 ??? 泡克耳斯效应的时间响应也特别快，能跟得上 Hz的电压变化，而且 与U成线性关系，所以多用泡克耳斯盒来作电光调制器。 * 2）电光调制器的主要性能参量 （1）半波电压 （或 ） ??? 是使调制器光输出达到最大时所需的电压，这个电压自然是越小越好。这样，既便于操作，又可减少电功率损耗和发热。 ?（2）透过率 ??? 调制器的光输出 与光输入 之比： 对于线性调制器，要求信号不失真，调制器的透过率与调制电压能有良好的线性关系。可是从上式看， 在U=0附近并不是直线，而在U＝ 附近可近似为一条直线。所以，静态工作点一般都设在 /2 附近。 * 当U＝ /2时，泡克耳斯盒的作用相当于一个λ/4波片。所以，为了使静态工作点能设在直线区，常在泡克耳斯盒和检偏器Q之间插入1个1/4波片。这样即可得到与偏压 /2相同的效果。 加λ/4波片的泡克耳斯盒示意图 泡克耳斯盒加λ/4波片与不加λ/4波片的区别示意图 不加λ/4波片? b) 加λ/4波片 * 3）调制带宽Δf ???Δf与调制器的等效电容有关，低频时Δf与调制功率成正比。这就要求光波在晶体中的渡越时间 要远小于调制信号的周期T，即 式中，l——晶体长度， n——晶体的折射率， c——真空中的光速， f——调制频率。 ??因此，对于一定的调制器有一最高调制频率 * 4）消光比 ?? 消光比的定义是检偏器的最大输出与最小输出之比， 即 / 。由于吸收、反射、散射等损耗， 总是小于入射光强，而 是与光束的发散角、晶体的剩余双折射、晶体的厚度和均匀性、电场的均匀性以及对偏振器的调整等因素有关。目前对单色、小发散角的激光束来说，消光比可达100～10000。 * 1.叙述半导体激光器和发光二极管的发光原理 2叙述电光调制器克尔盒的工作原理 * 2、声光调制器件与偏转器件 声光效应：声波在介质中传播时，会引起介质密度（折射率）周期性变化，可将此声波视为一种条纹光栅，光栅的栅距等于声波的波长，当光波入射于声光栅时，即发生光的衍射。 ??? 声光器件是基于声光效应的原理来工作的，分为声光调制器和声光偏转器两类，它们的原理、结构、制造工艺相同，只是在尺寸设计上有所区别。 声光器件的基本结构示意图 声光器件由声光介质和换能器两部分组成。常用的声光介质有钼酸铅晶体（PM）、氧化碲晶体和熔石英等。换能器即超声波发生器，它是利用压电晶体使电压信号变为超声波，并向声光介质中发射的一种能量变换器。 * 声光相互作用有两种情形： ??? 1.正常光声相互作用。介质的光学性质是各向同性的，介质的折射率与入射光的方向、偏振状态无关，此时，入射光的折射率、偏振状态与衍射光的折射率、偏振状态相同。可从各向同性介质中光的波动方程出发，利用介质应变与折射率变化之间的关系，来描述声光效应，可用声光栅来说明光在介质中的衍射。 ??? 2.反常声光相互作用。介质的折射率与入射光的方向、偏振状态有关，需要考虑介质在光学性质上的各向异性。这时，入射光的折射率、偏振状态与衍射光的折射率、偏振状态不同。此时，就不能用声光栅来说明光在介质中的衍射现象了。 目前，多数的声光器件都是利用正常声光相互作用原理来制作的，所以可用声光栅来分析。 * 式中， 为入射角，实际是掠射角，它是入射光线与超声波波面之间的夹角；Λ和K分别为超声波的波长和波数（K＝2π/Λ）；λ和k分别为入射光波的波长和波数（k＝2π/λ）；N为衍射光的级数。 超声场中，由于介质密度周期性的疏密分布而形成声光栅，栅距等于1个超声波的波长。如果有一束光以 角入射于声光栅，则出射光即是衍射光。理论分析指出，当 满足以下条件时，衍射光强最大。 * 若掠射角 ＝0，即入射光平行于声光栅的栅线入射时，声光 栅所产生的衍射光图案和普通光学光栅所产生的衍射光图案类似